[发明专利]电容器有效
申请号: | 201910332704.1 | 申请日: | 2019-04-24 |
公开(公告)号: | CN111383842B | 公开(公告)日: | 2022-05-10 |
发明(设计)人: | 卢俊安;姜颖容;蔡苑铃 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院 |
主分类号: | H01G4/33 | 分类号: | H01G4/33;H01G4/018;H01G4/12;H01G4/14 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电容器 | ||
本发明公开一种电容器,其包含:一第一电极层及一第二电极层;以及一第一介电层及一第二介电层,设置于该第一电极层及该第二电极层之间。该第一介电层包含一第一介电粉体及一第一有机树脂,而该第二介电层由一第二介电粉体及一第二有机树脂所组成。其中,该第一介电粉体与该第一有机树脂的重量比值大于该第二介电粉体与该第二有机树脂的重量比值。
技术领域
本发明关于电容器。
背景技术
电容器为能够储存或吸收电荷的电子装置,由于具有电荷充电及储存的特质,使得电容器在包括集成电路(IC)等电子电路的设计与运作当中具有广泛的应用。近年来,随着电子电路的高密度化及高集成化,将应用于各种电子电路的电容器小型化的需求也随之增加。
薄膜电容器的小型化发展迟缓,这是由于其所使用的介电材料(例如氧化硅或氮化硅)的介电常数低。因此,为了使薄膜电容小型化、实现较高的容量,具有高介电常数的介电材料进一步被使用。然而,高介电常数的介电材料往往不是温度补偿材料,因此易使导致薄膜电容器在不同温度下易呈现较大的电容变化率。此外,电容器也需要具有良好的直流(DC)偏压性能(也称为电容器的电压系数(VCC))定义为随DC偏压(电压)变化的电容变化率)。若电容器DC偏压性能不佳,在高电压操作下易使电容器的电容大幅下降,甚至导致电容器失效。
因此,业界需要一种新颖的薄膜电容器,以解决现有技术所遭遇到的问题。
发明内容
根据本发明实施例,本发明提供一种电容器,包含第一电极层及一第二电极层;以及一第一介电层及一第二介电层,设置于该第一电极层及该第二电极层之间。该第一介电层包含一第一介电粉体及一第一有机树脂,而该第二介电层由一第二介电粉体及一第二有机树脂所组成。其中,该第一介电粉体与该第一有机树脂的重量比值大于该第二介电粉体与该第二有机树脂的重量比值。
根据本发明实施例,该第一介电粉体与该第一有机树脂的重量比值是介于2.0~11.6之间。
根据本发明实施例,该第二介电粉体与该第二有机树脂的重量比值是介于0.1~1.0。
根据本发明实施例,该第一介电粉体及第二介电粉体分别为钛酸钡(bariumtitanate)、钛酸锶(strontium titanate)、钛酸钡锶(barium strontium titanate)、或上述的组合。
根据本发明实施例,该第一有机树脂及该第二有机树脂分别为丙烯酸树脂(acrylic acid resin)、聚亚酰胺(polyoimide)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate)、聚乙烯四氢咯酮烷酮(polyvinylpyrrolidone)、聚苯乙烯(polystyrene)、聚偏二氟乙烯(polyvinylidene fluoride)、或上述的组合。
根据本发明实施例,该第一电极层及该第二电极层分别为铝、银、金、铜、镍、铂、或上述的合金。
根据本发明实施例,该第一介电层的厚度是0.105μm至52.5μm,该第二介电层的厚度是0.1μm至50μm。
根据本发明实施例,该第一介电层的厚度与该第二介电层的厚度比值是3至1.05。
根据本发明实施例,该电容器于偏压为100V下,具有一电容变化率不大于10%。
根据本发明实施例,该电容器于温度为125℃下,具有一电容变化率不大于l5%。
附图说明
图1为一实施例所述电容器的剖面结构示意图;
图2为一实施例所述电容器的剖面结构示意图;
图3为本发明一实施例所述电容器的制作工艺步骤流程图;
图4A至图4F为一系列剖面结构示意图,用以说明图2所述电容器其制造流程;
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