[发明专利]一种清洗液、其制备方法和应用

权利要求书

1.一种清洗液，其特征在于，其原料包括下列质量分数的组分：0.01％-25％的强碱、0.01％-30％的醇胺、0.01％-10％的缓蚀剂、0.01％-10％的螯合剂、0.01％-5％的表面活性剂、0.001％-1％的抗氧化剂、以及水，各组分质量分数之和为100％；所述的表面活性剂为MPEG改性的氯丙基-POSS。

2.如权利要求1所述的清洗液，其特征在于，

所述的强碱的质量分数为1％-20％，例如5％-15％；

和/或，所述的强碱为季铵碱、季鏻碱和胍类化合物中的一种或多种；

所述的季铵碱优选为四烷基季铵碱和/或烷基上有羟基取代基的季铵碱；

所述的四烷基季铵碱优选为四甲基氢氧化铵、四丙基氢氧化铵和四丁基氢氧化铵中的一种或多种；

所述的烷基上有羟基取代基的季铵碱优选为胆碱、(2-羟基乙基)三甲基氢氧化铵和三(2-羟乙基)甲基氢氧化铵中的一种或多种；

所述的季鏻碱优选为四烷基季鏻碱和/或烷基上有羟基取代基的季鏻碱；

所述的四烷基季鏻碱优选四丁基氢氧化膦；

所述的胍类化合物优选四甲基胍。

3.如权利要求1或2所述的清洗液，其特征在于，

所述的醇胺的质量分数为1％-10％；例如5％-8％；

和/或，所述的醇胺为单乙醇胺、二甘醇胺、三乙醇胺、异丁醇胺和异丙醇胺中的一种或多种。

4.如权利要求1-3中任一项所述的清洗液，其特征在于，

所述的缓蚀剂的质量分数为0.1％-1％；例如0.5％-0.8％；

和/或，所述的缓蚀剂为2-巯基苯并噻唑、3-巯基苯并噻唑、4-巯基苯并噻唑、5-巯基苯并噻唑、邻苯二酚、连苯三酚和5-氨基四唑中的一种或多种。

5.如权利要求1-4中任一项所述的清洗液，其特征在于，

所述的螯合剂的质量分数为0.1％-1％；例如0.3％-0.9％；

和/或，所述的螯合剂为丙二酸、马来酸、精氨酸和EDTA中的一种或多种。

6.如权利要求1-5中任一项所述的清洗液，其特征在于，

所述的表面活性剂的质量分数为0.1％-1％；例如0.2％-0.7％；

和/或，所述的MPEG改性的氯丙基-POSS为MPEG-400改性的氯丙基-POSS、MPEG-500改性的氯丙基-POSS、MPEG-600改性的氯丙基-POSS、MPEG-750改性的氯丙基-POSS、MPEG-1000改性的氯丙基-POSS和MPEG-2000改性的氯丙基-POSS中的一种或多种。

7.如权利要求1-6任一项所述的清洗液，其特征在于，

所述的抗氧化剂的质量分数为0.002％-0.1％；例如0.005％-0.01％；

和/或，所述的抗氧化剂为抗氧化酶和/或还原剂的混合物。

8.如权利要求7所述的清洗液，其特征在于，

所述的抗氧化酶为超氧化歧化酶、谷胱甘肽过氧化酶、硫氧还蛋白过氧化物酶、琥珀酸脱氢酶、硝酸还原酶、亚硫酸还原酶、亚硝酸还原酶和N₅,N₁₀-亚甲四氢叶酸还原酶中的一种或多种；所述的超氧化歧化酶可为含铜与锌超氧化物歧化酶、含锰超氧化物歧化酶和含铁超氧化物歧化酶中的一种或多种。

和/或，所述的还原剂为抗坏血酸、五倍子酸和儿茶素中的一种或多种。

9.一种如权利要求1-8任一项所述的清洗液的制备方法，其特征在于，其包括下列步骤：将所述的原料混合，即可；所述的混合优选为将所述的原料组分中的固体组分加入到液体组分中，搅拌均匀，即可；所述的混合的温度优选为室温。

10.一种如权利要求1-8任一项所述的清洗液在清洗化学机械抛光后的半导体器件中的应用；其中所述的半导体器件优选铜基芯片、钴基芯片和钨基芯片中的一种或多种；所述的应用优选包括下列步骤：将化学机械抛光后的半导体器件与清洗液接触，即可。