[发明专利]等离子体处理装置和电源控制方法在审

申请号：	201910332392.4	申请日：	2019-04-24
公开（公告）号：	CN110416051A	公开（公告）日：	2019-11-05
发明（设计）人：	永海幸一;大下辰郎	申请（专利权）人：	东京毅力科创株式会社
主分类号：	H01J37/32	分类号：	H01J37/32;H01L21/67
代理公司：	北京尚诚知识产权代理有限公司 11322	代理人：	龙淳;刘芃茜
地址：	日本***	国省代码：	日本;JP
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：
搜索关键词：	载置台被处理体等离子体处理装置负直流电压电位差等离子体处理测量施加控制直流电源电位差变化电源控制部正直流电压电源控制下部电极直流电源变化量计算部放电载置
钻瓜网技术展会专利词库专利权人专利榜在售专利公布日期热门专利

【说明书】：

本发明提供等离子体处理装置和等离子体处理方法。本发明能够抑制在载置台与被处理体之间发生放电。等离子体处理装置包括：载置台，其载置作为等离子体处理的对象的被处理体，并作为下部电极发挥作用；直流电源，其交替地产生施加到载置台的正直流电压和负直流电压；测量载置于载置台的被处理体的电压的测量部；计算部，其基于测量出的被处理体的电压，计算将负直流电压施加到载置台的期间的、载置台与被处理体之间的电位差；和电源控制部，其控制直流电源，以使得施加到载置台的负直流电压的值的电位差变化使计算出的电位差减少的变化量。

技术领域

本发明涉及等离子体处理装置和电源控制方法。

背景技术

一直以来，已知使用等离子体对半导体晶片等被处理体进行蚀刻处理等等离子体处理的等离子体处理装置。关于这样的等离子体处理装置，在能够构成真空空间的处理容器内具有载置台，其载置被处理体并兼具作为电极的功能。等离子体处理装置通过对例如载置台施加规定的高频电力，对载置于载置台的被处理体，进行等离子体处理。另外，等离子体处理装置在进行等离子体处理时，有时对载置台施加偏置用的高频电力。通过对载置台施加偏置用的高频电力，能够将等离子体中的离子引入被处理体。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2017-201611号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

本发明提供一种能够抑制在载置台与被处理体之间发生放电的技术。

用于解决技术问题的技术手段

本发明的一方式的等离子体处理装置，其包括：载置台，其载置作为等离子体处理的对象的被处理体，并作为下部电极发挥作用；直流电源，其交替地产生施加到上述载置台的正直流电压和负直流电压；测量载置于上述载置台的被处理体的电压的测量部；计算部，其基于上述测量出的被处理体的电压，计算对上述载置台施加负直流电压的期间的、上述载置台与上述被处理体之间的电位差；和电源控制部，其控制上述直流电源，以使得施加到上述载置台的负直流电压的值变化使上述计算出的电位差减少的变化量。

发明效果

依照本发明，起到能够抑制在载置台与被处理体之间发生放电的效果。

附图说明

图1是表示第一实施方式的等离子体处理装置的概略结构的概略截面图。

图2是表示控制第一实施方式的等离子体处理装置的控制部的概略结构的一例的框图。

图3是示意地表示对载置台交替地施加正直流电压和负直流电压时载置台16与晶片W的电位的状态的一例的图。

图4是表示第一实施方式的电源控制方法的流程的一例的流程图。

图5是用于说明第一实施方式的等离子体处理装置中使用的电源控制方法的具体例的图。

图6是表示第一实施方式的电源控制方法的流程的变形例1的流程图。

图7是表示第一实施方式的电源控制方法的流程的变形例2的流程图。

图8是表示第一实施方式的电源控制方法的流程的变形例3的流程图。

图9是表示控制第二实施方式的等离子体处理装置的控制部的概略结构的一例的框图。