[发明专利]包括多倍高度标准单元的集成电路及其设计方法

权利要求书

1.一种集成电路，包括：

半导体衬底；

第一电力轨、第二电力轨和第三电力轨，在第一方向上延伸并且在垂直于所述第一方向的第二方向上顺序地布置在所述半导体衬底上；

第一选择栅极线、第二选择栅极线和第三选择栅极线，在所述第一电力轨和所述第二电力轨之间的第一区域以及所述第二电力轨和所述第三电力轨之间的第二区域上方沿所述第二方向延伸，并在所述第一方向上顺序地布置；以及

行连接配线，在所述第一方向上延伸以连接所述第一选择栅极线和所述第三选择栅极线。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其中，

所述第一选择栅极线、所述第三选择栅极线和所述行连接配线形成接收第一选择信号的第一选择节点，以及

所述第二选择栅极线用作接收第二选择信号的第二选择节点。

3.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述第二选择栅极线连接所述第一区域中的选择晶体管的第一栅电极和所述第二区域中的选择晶体管的第二栅电极，所述第一栅电极对应于所述第二选择栅极线的一部分，所述第二栅电极对应于所述第二选择栅极线的另一部分。

4.根据权利要求3所述的集成电路，其中，所述第二选择栅极线在所述第一区域和所述第二区域中没有被栅极切割区切割。

5.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述第一选择栅极线连接所述第一区域中的选择晶体管的第一栅电极和所述第二区域中的选择晶体管的第二栅电极，所述第一栅电极对应于所述第一选择栅极线的一部分，所述第二栅电极对应于所述第一选择栅极线的另一部分。

6.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述第三选择栅极线被栅极切割区切割成与所述第一区域中的选择晶体管的第一栅电极相对应的第一栅极段以及与所述第二区域中的选择晶体管的第二栅电极相对应的第二栅极段。

7.根据权利要求6所述的集成电路，还包括：列连接配线，在所述第二方向上延伸，以连接所述第三选择栅极线的所述第一栅极段和所述第三选择栅极线的所述第二栅极段。

8.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述第三选择栅极线连接所述第一区域中的选择晶体管的第一栅电极和所述第二区域中的选择晶体管的第二栅电极，所述第一栅电极对应于所述第三选择栅极线的一部分，所述第二栅电极对应于所述第三选择栅极线的另一部分。

9.根据权利要求1所述的集成电路，还包括：

所述第一区域中的第一多路复用器，所述第一多路复用器基于第一选择信号和第二选择信号选择第一输入信号和第二输入信号中的一个，以输出第一输出信号；以及

所述第二区域中的第二多路复用器，所述第二多路复用器基于所述第一选择信号和所述第二选择信号选择第三输入信号和第四输入信号中的一个，以输出第二输出信号。

10.根据权利要求9所述的集成电路，其中，

所述第一多路复用器包括位于金属层中并被配置为提供所述第一输出信号的第一输出配线，以及

所述第一输出配线的列延伸部分沿着所述第一选择栅极线或所述第三选择栅极线在所述第一选择栅极线或所述第三选择栅极线上方。

11.根据权利要求9所述的集成电路，其中，

所述第二多路复用器包括位于第一金属层中并被配置为提供所述第二输出信号的第二输出配线，以及

所述第二输出配线的列延伸部分沿着所述第二选择栅极线在所述第二选择栅极线上方。

12.根据权利要求11所述的集成电路，其中，所述行连接配线位于所述第一金属层上方的第二金属层中。

13.根据权利要求11所述的集成电路，其中，所述行连接配线以直角与所述第二输出配线的列延伸部分交叉。