[发明专利]OLED显示面板的外围电路结构及OLED显示面板有效
| 申请号： | 201910330950.3 | 申请日： | 2019-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN109994534B | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 崔耀晨 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人： | 林才桂;王中华 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | oled 显示 面板 外围 电路 结构 | ||
1.一种OLED显示面板的外围电路结构，其特征在于，包括基板(10)、设于所述基板(10)上的绝缘层(20)及设于所述绝缘层(20)上的走线(30)；
所述基板(10)包括显示区(11)及包围所述显示区(11)的边框区(12)，所述走线(30)位于所述边框区(12)内，所述绝缘层(20)与所述走线(30)对应的区域形成有间隔排列的多个凹槽(21)，所述走线(30)填充所述多个凹槽(21)；所述凹槽(21)的延伸方向与所述走线(30)的延伸方向平行，所述多个凹槽(21)沿与所述走线(30)的延伸方向垂直的方向间隔排列；
所述凹槽(21)的深度为0.8～1.2μm，宽度为2～3μm，锥度角为40～50°；
所述OLED显示面板的外围电路结构还包括设于所述绝缘层(20)及靠近所述显示区(11)的一侧的部分走线(30)上的平坦化层(40)、设于所述平坦化层(40)及走线(30)上的辅助连接线(50)以及设于所述辅助连接线(50)上的第一电极(60)；
所述辅助连接线(50)的线宽大于所述走线(30)的线宽，所述辅助连接线(50)的靠近所述显示区(11)的边缘超出所述走线(30)靠近所述显示区(11)的边缘。
2.如权利要求1所述的OLED显示面板的外围电路结构，其特征在于，所述走线(30)及第一电极(60)的材料均为金属，所述辅助连接线(50)的材料为透明导电材料。
3.如权利要求1所述的OLED显示面板的外围电路结构，其特征在于，还包括设于所述基板(10)一侧并与所述走线(30)电性连接的驱动芯片(70)。
4.如权利要求3所述的OLED显示面板的外围电路结构，其特征在于，所述走线(30)围绕所述显示区(11)设置，且所述走线(30)的两端均电性连接至驱动芯片(70)。
5.如权利要求3所述的OLED显示面板的外围电路结构，其特征在于，所述驱动芯片(70)向所述走线(30)提供电源低电压(VSS)。
6.一种OLED显示面板，其特征在于，包括如权利要求1至5任一项所述的OLED显示面板的外围电路结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
