[发明专利]互补金属氧化物图像传感器、图像处理方法及存储介质有效
| 申请号: | 201910330173.2 | 申请日: | 2019-04-23 |
| 公开(公告)号: | CN110071130B | 公开(公告)日: | 2021-05-11 |
| 发明(设计)人: | 杨鑫 | 申请(专利权)人: | OPPO广东移动通信有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N9/04 |
| 代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 王军红;张颖玲 |
| 地址: | 523860 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 互补 金属 氧化物 图像传感器 图像 处理 方法 存储 介质 | ||
1.一种互补金属氧化物图像传感器CIS,其特征在于,所述CIS包括:
半导体基底、亚波长像素单元以及读出电路;所述亚波长像素单元设置于所述半导体基底中,所述亚波长像素单元与所述读出电路连接;
其中,所述亚波长像素单元包括n个光电二极管PD柱;n为大于或者等于0的整数,当n等于1时,一个PD柱对应的一个厚度参数为200nm;当n大于1时,所述n个PD柱对应的n个厚度参数均为400nm;所述n个PD柱对应的n个尺寸参数由预设波长确定;
所述n个PD柱按照所述预设波长对入射光进行吸收转换,获得所述入射光对应的电信号。
2.根据权利要求1所述的CIS,其特征在于,
所述预设波长包括红光对应的第一波长、绿光对应的第二波长以及蓝光对应的第三波长。
3.根据权利要求2所述的CIS,其特征在于,所述n个尺寸参数包括n个直径参数;
所述n个PD柱对应的n个直径参数分别由所述第一波长、所述第二波长以及所述第三波长确定。
4.根据权利要求2所述的CIS,其特征在于,当n等于1时,
所述一个PD柱按照所述第一波长吸收所述入射光中的红光;或者,
所述一个PD柱按照所述第二波长吸收所述入射光中的绿光;或者,
所述一个PD柱按照所述第三波长吸收所述入射光中的蓝光。
5.根据权利要求3所述的CIS,其特征在于,当n大于或者等于3,且所述n个直径中存在至少三种不同的直径参数时,
所述n个PD柱通过光学共振分别吸收所述入射光中的红光、绿光以及蓝光。
6.根据权利要求1所述的CIS,其特征在于,
所述n个PD柱对应的形状包括长方体、圆柱体或者平行四边体中的一种。
7.根据权利要求2所述的CIS,其特征在于,
当n等于1时,所述亚波长像素单元对应的像素尺寸为200nm;
当n大于1时,所述亚波长像素单元对应的像素尺寸为400nm。
8.根据权利要求1所述的CIS,其特征在于,所述CIS还包括:图像处理器,其中,所述读出电路与所述图像处理器连接。
9.根据权利要求8所述的CIS,其特征在于,
所述亚波长像素单元,配置为通过所述n个PD柱将所述入射光转换为所述电信号,并将所述电信号传输至所述读出电路;
所述读出电路,配置为将所述电信号转换为数字信号,得到原始数据,并将所述原始数据传输至所述图像处理器;
所述图像处理器,配置为根据所述原始数据生成所述入射光对应的图像。
10.根据权利要求1所述的CIS,其特征在于,所述CIS还包括:透镜,其中,所述透镜与所述亚波长像素单元连接;
所述透镜,用于对所述入射光进行聚焦。
11.一种图像处理方法,其特征在于,所述方法应用于如权利要求1-10任一项所述的CIS中,包括:
按照预设波长对所述入射光进行吸收转换,获得所述入射光对应的电信号;
根据所述电信号获得所述入射光对应的原始数据;
按照所述原始数据进行图形处理,获得所述入射光对应的图像。
12.根据权利要求11所述的方法,其特征在于,
所述预设波长包括红光对应的第一波长、绿光对应的第二波长以及蓝光对应的第三波长。
13.根据权利要求11所述的方法,其特征在于,所述根据所述电信号获得所述入射光对应的原始数据,包括:
将所述电信号转换为数字信号;
根据所述数字信号获得所述原始数据。
14.一种计算机可读存储介质,其上存储有程序,应用于CIS中,其特征在于,所述程序被处理器执行时实现如权利要求11-13任一项所述的方法。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于OPPO广东移动通信有限公司,未经OPPO广东移动通信有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910330173.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种高灵敏度大动态范围的像素结构
- 下一篇:图像传感器及其形成方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





