[发明专利]一种存储器元件

权利要求书

1.一种存储器元件，包括一第一电源电路、一第二电源电路、一控制电路、一电压驱动器和一升压电路，其中：

该第一电源电路，配置来连接到一第一电源，以分配一第一电源电压；

该第二电源电路，配置来连接到一第二电源，以分配高于该第一电源电压的一第二电源电压；

该控制电路，用以产生一第一控制信号，该第一控制信号具有介于该第一电源电压和一第一参考电压之间的一电压电位；

该升压电路，用以将该第一控制信号升压到高于该第一电源电压的一电位，以供给该电压驱动器；

该电压驱动器，响应升压后的该第一控制信号，以一第一电压或一第二电压来驱动一电路节点，其中该第一电压或该第二电压具有介于该第二电源电压和一第二参考电压之间的一电压电位；

其中，该控制电路包括一锁存器，该锁存器连接于该第一电源电路，该锁存器产生介于该第一电源电压和该第一参考电压之间的第一输出信号和第二输出信号，其中该第一输出信号经该升压电路升压后连接至该电压驱动器的第一晶体管的栅极，该第二输出信号连接至该电压驱动器的第二晶体管的栅极，以控制该第一电压或该第二电压介于该第二电源电压和该第二参考电压之间。

2.根据权利要求1所述的存储器元件，其中该电压驱动器包括：

一第一开关晶体管，连接在该电路节点和该第二电源电路之间；以及

一第二开关晶体管，位于该电路节点和该第二参考电压之间；

其中该升压电路连接到该第一开关晶体管的一栅极。

3.根据权利要求2所述的存储器元件，其中该升压电路包括：

一开路栅极，位于一控制信号和一栅极节点之间，该栅极节点连接到该第一开关晶体管的该栅极；

一电容器，具有连接到该第一开关晶体管的该栅极节点的一第一端子以及一第二端子；以及

一控制逻辑，用以在该开路栅极上产生一第一时序信号，从而将该第一控制信号传输到该栅极节点，并且在该电容器的该第二端子上产生一第二时序信号，从而将该栅极节点升压至高于该第一电源电压。

4.根据权利要求2所述的存储器元件，其中该第一开关晶体管是一n型金属氧化物半导体(NMOS)晶体管。

5.根据权利要求2所述的存储器元件，其中该控制电路包括多个晶体管，配置来以该第一电源电压进行操作；且该电压驱动器和该升压电路包括配置来以该第二电源电压进行操作的多个晶体管。

6.根据权利要求1所述的存储器元件，其中该控制电路包括具有一第一栅极介电材料厚度的多个晶体管；且该电压驱动器和该升压电路包括具有大于该第一栅极介电材料厚度的一第二栅极介电材料厚度的多个晶体管。

7.根据权利要求1所述的存储器元件，更包括一电荷泵浦电路，是用来作为一第二电源，并连接到该第二电源电路。

8.根据权利要求1所述的存储器元件，其中该第一电源电路包括配置来连接到一外部电源的一导体。

9.根据权利要求1所述的存储器元件，更包括一晶体管，该晶体管具有在一操作期间电性连接至该电路节点的一第一载流节点、在该操作期间连接至一选择线的一栅极，以及连接至一存储器电路的一第二载流端子；

其中，该选择线在该操作期间具有高于该第一电源电压的一选择线电压，该第一电压高于该第一电源电压，使该晶体管关闭，从而阻止一电流在该操作期间流向该存储器电路，并且该第二电压低于该第一电源电压，使该晶体管在该操作期间导通，从而将一电流传导到该存储器电路。