[发明专利]包括标准单元的集成电路以及制造集成电路的方法在审
申请号: | 201910327491.3 | 申请日: | 2019-04-23 |
公开(公告)号: | CN110828449A | 公开(公告)日: | 2020-02-21 |
发明(设计)人: | 金珍泰;赵成伟;宋泰中;李昇映;林辰永 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L27/088 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 屈玉华 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包括 标准 单元 集成电路 以及 制造 方法 | ||
提供了包括标准单元的集成电路以及制造集成电路的方法。一种集成电路可以包括:第一标准单元,包括在第一水平方向上延伸的第一有源区和第二有源区以及在与第一水平方向正交的第二水平方向上延伸的第一栅极线;和第二标准单元,其包括在第一水平方向上延伸的第三有源区和第四有源区以及在第二水平方向上与第一栅极线平行地对准的第二栅极线并与第一标准单元相邻。第一标准单元的第二有源区与第二标准单元的第三有源区之间的距离可以大于第一标准单元的第一有源区和第二有源区之间的距离,并可以大于第二标准单元的第三有源区和第四有源区之间的距离。
技术领域
本公开涉及集成电路,更具体地,涉及包括标准单元的集成电路以及制造集成电路的方法。
背景技术
集成电路可以包括布置在多行中的多个标准单元。标准单元的能力和/或特性诸如功耗、操作速度等可以与包括该标准单元的集成电路的能力和/或特性高度相关。因此,会需要具有改进的能力和/或特性以及高操作可靠性的标准单元。缩短标准单元的开发周期以缩短上市时间也会是重要的。
发明内容
本公开和这里公开的发明构思涉及包括标准单元的集成电路,提供了包括具有改进的特性的标准单元的集成电路。本公开和这里公开的发明构思还提供了制造集成电路的方法。
根据本公开的一方面,提供了一种集成电路。该集成电路可以包括第一标准单元,该第一标准单元包括在第一水平方向上延伸的至少第一有源区和第二有源区以及在与第一水平方向正交的第二水平方向上延伸的第一栅极线;该集成电路还可以包括第二标准单元,该第二标准单元包括在第一水平方向上延伸的至少第三有源区和第四有源区以及在第二水平方向上与第一栅极线平行地对准的第二栅极线并与第一标准单元相邻。第一标准单元的第二有源区与第二标准单元的第三有源区之间的距离可以大于第一标准单元的第一有源区和第二有源区之间的距离,第一标准单元的第二有源区与第二标准单元的第三有源区之间的距离可以大于第二标准单元的第三有源区和第四有源区之间的距离。
根据本发明构思的另一方面,提供了一种包括多个标准单元的集成电路。该集成电路可以包括:多个有源区对,每个有源区对包括分别在第一水平方向上延伸并彼此相邻的第一导电类型的第一有源区和第二导电类型的第二有源区;以及多个栅极线,在与第一水平方向正交的第二水平方向上延伸。第一有源区对和第二有源区对可以彼此相邻地布置,并且第一有源区对和第二有源区对之间的距离可以大于第一有源区对的第一有源区和第二有源区之间的距离。
根据本发明构思的另一方面,提供了一种集成电路,该集成电路包括在多行中的多个标准单元。集成电路可以包括:第一有源区和第二有源区,在第一行中在第一水平方向上延伸;第三有源区和第四有源区,在与第一行相邻的第二行中在第一水平方向上延伸。第二有源区和第三有源区可以彼此相邻。第一行的第二有源区与第二行的第三有源区之间的距离可以大于第一行中的第一有源区和第二有源区之间的距离,并大于第二行中的第三有源区与第四有源区之间的距离。
附图说明
为了图示的方便,伴随说明书的附图可以没有按比例,并且部件的尺寸可以被夸大。
从以下结合附图的详细描述,本公开的各方面将被更清楚地理解,附图中:
图1是示意性地示出根据本发明构思的一示例实施方式的集成电路的部分的图;
图2是示意性地示出根据比较示例的集成电路的部分的图;
图3A和图3B是示意性地示出根据本发明构思的示例实施方式的集成电路的部分的俯视平面图;
图4是示意性地示出根据本发明构思的一示例实施方式的集成电路的一部分的俯视平面图;
图5示出俯视平面图,示意性地示出根据本发明构思的示例实施方式的集成电路的部分;
图6是示出根据本发明构思的一示例实施方式的集成电路的布局的一部分的俯视平面图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的