[发明专利]一种非晶硅薄膜的沉积方法及沉积设备

权利要求书

1.一种非晶硅薄膜的沉积方法，其特征在于，包括：

在半导体晶圆片沉积前利用流体喷洗半导体晶圆片，所述流体的喷射压力大于预设压力值；

检验喷洗处理后的半导体晶圆片的表面的颗粒，直到所述半导体晶圆片的表面的颗粒数量小于预设数量时，停止所述利用流体喷洗半导体晶圆片的操作；

清洗化学气相沉积CVD机台沉积腔体，并在所述沉积腔体中沉积预设厚度的非晶硅薄膜，进行覆盖保护；

将半导体晶圆片通过CVD机台的传送机构，传入所述沉积腔体进行非晶硅薄膜沉积。

2.如权利要求1所述的非晶硅薄膜的沉积方法，其特征在于，在所述将半导体晶圆片通过CVD机台的传送机构，传入所述沉积腔体进行非晶硅薄膜沉积的步骤之后还包括：

清洗CVD机台沉积腔体，并在所述沉积腔体中沉积预设厚度的非晶硅薄膜，进行覆盖保护。

3.如权利要求1或2所述的非晶硅薄膜的沉积方法，其特征在于，所述在半导体晶圆片沉积前利用流体喷洗半导体晶圆片的步骤包括：

在半导体晶圆片沉积前，利用位于半导体晶圆片的片表面上方的喷头将清洗液喷洒到该半导体晶圆片的片表面，对半导体晶圆片的片表面进行清洗。

4.如权利要求3所述的非晶硅薄膜的沉积方法，其特征在于，所述喷头的喷嘴离半导体晶圆片距离在10～20mm，所述半导体晶圆片在喷洗时的旋转速度为2000～4000rmp，以对半导体晶圆片的片表面进行清洗。

5.如权利要求4所述的非晶硅薄膜的沉积方法，其特征在于，所述预设压力值为15Mpa，所述流体的喷射压力还小于25Mpa。

6.如权利要求5所述的非晶硅薄膜的沉积方法，其特征在于，所述颗粒的尺径小于0.2um，所述预设数量为50颗。

7.如权利要求6所述的非晶硅薄膜的沉积方法，其特征在于，所述清洗CVD机台沉积腔体的步骤包括：

使用气体C₂F₆和O₂比例范围在1:2～2:1之间，在1000～2500W的高功率和5～10mTorr压力下，清洗CVD机台沉积腔体10～30s。

8.如权利要求7所述的非晶硅薄膜的沉积方法，其特征在于，所述在所述沉积腔体中沉积预设厚度的非晶硅薄膜，进行覆盖保护的步骤包括：

在所述沉积腔体中沉积500～2000A厚度的非晶硅薄膜，覆盖在腔体表面。

9.一种非晶硅薄膜的沉积设备，包括：

喷洗装置，在半导体晶圆片沉积前利用流体喷洗半导体晶圆片，所述流体的喷射压力大于预设压力值；

检验装置，检验喷洗处理后的半导体晶圆片的表面的颗粒，直到所述半导体晶圆片的表面的颗粒数量小于预设数量时，促使所述喷洗装置停止所述利用流体喷洗半导体晶圆片的操作；

沉积装置，清洗CVD机台沉积腔体，并在所述沉积腔体中沉积预设厚度的非晶硅薄膜，进行覆盖保护；

传送装置，将半导体晶圆片通过CVD机台传入所述沉积腔体进行非晶硅薄膜沉积。

10.根据权利要求9所述的沉积设备，还包括，在半导体晶圆片沉积前，喷洗装置利用位于半导体晶圆片的片表面上方的喷头将清洗液喷洒到该半导体晶圆片的片表面，对半导体晶圆片的片表面进行清洗。