[发明专利]自清洁膜系统

权利要求书

1.一种自清洁膜系统，所述自清洁膜系统包括：

基板；和

自清洁膜，所述自清洁膜设置在所述基板上并包括：

由疏油材料形成的单层；和

第一多个区域，其以非周期性图案设置在所述单层内使得所述第一多个区域中的每一个邻接所述疏油材料并被所述疏油材料包围，其中所述第一多个区域中的每一个包括光催化材料。

2.根据权利要求1所述的自清洁膜系统，其中所述自清洁膜具有第一表面和与所述第一表面相对间隔开并邻接所述基板的第二表面，并且进一步地其中所述第一表面基本上不含鲨烯。

3.根据权利要求2所述的自清洁膜系统，其中所述非周期性图案沿着所述第一表面不重复，使得所述第一多个区域随机地沿着所述第一表面设置。

4.根据权利要求2所述的自清洁膜系统，其中所述疏油材料和所述光催化材料以90:10至65:35的体积份疏油材料与体积份光催化材料的比例存在于所述自清洁膜中。

5.根据权利要求2所述的自清洁膜系统，其中所述第一多个区域中的每一个具有小于或等于3微米的直径。

6.根据权利要求1所述的自清洁膜系统，其中所述光催化材料掺杂有银。

7.根据权利要求1所述的自清洁膜系统，进一步包括第二多个区域，其设置在所述单层内使得所述第二多个区域中的每一个邻接所述疏油材料并被所述疏油材料包围，其中所述第二多个区域中的每一个包含银。

8.根据权利要求1所述的自清洁膜系统，其中所述基板进一步包括粘附层，所述粘附层由溶胶凝胶材料形成并设置成与所述自清洁膜接触；并且进一步地其中所述光催化材料通过所述粘附层物理地捕获在适当位置。

9.根据权利要求1所述的自清洁膜系统，其中所述基板进一步包括由发光材料形成并设置成与所述自清洁膜接触的上变频层，其中所述上变频层配置用于将具有490nm至450nm波长的第一电磁辐射转换为具有10nm至400nm紫外线波长的第二电磁辐射。

10.根据权利要求1所述的自清洁膜系统，其中所述基板进一步包括设置成与所述自清洁膜接触的抗反射膜，其中所述抗反射膜包括：

由二氧化钛形成的第一片材；

由二氧化硅形成并设置在所述第一片材上的第二片材；和

由二氧化钛形成并设置在所述第二片材上且与所述自清洁膜接触的第三片材。