[发明专利]一种LED多芯片模组的光、色性能预测方法

权利要求书

1.一种LED多芯片模组的光、色性能预测方法，其特征是，包括如下步骤：

采用变温变电流实验采集LED多芯片模组中某一颗LED的结温以及光谱；

使用高斯模型、洛仑兹模型、不对称双S模型中的任一种光谱模型对采集到的单颗LED光谱进行拆解，得到对应的光谱特征参数，使用二次多项式对各个光谱特征参数进行拟合，得出各特征参数关于电流、LED的结温的表达式，建立单颗LED的电-热-光-色耦合模型；

根据LED多芯片模组中每颗LED的输入功率以及环境温度，使用温度仿真软件可求出每颗LED的结温；

根据每颗LED的电流、结温，结合单颗LED的电-热-光-色耦合模型，求出每颗LED对应的光谱；

使用光学仿真软件求得LED多芯片模组的光、色参数；

所述高斯模型为：

其中，SPD_LED表示LED的光谱，λ表示波长，a表示光谱的面积；x_c表示光谱的峰值波长；w表示光谱的半波宽；

所述洛仑兹模型为:

其中，SPD_LED表示LED的光谱，λ表示波长，a表示光谱的面积；x_c表示光谱的峰值波长；w表示光谱的半波宽；

所述不对称双S模型为：

其中，SPD_LED表示LED的光谱，λ表示波长，b表示光谱的幅值；x_c表示光谱的峰值波长；u表示光谱低能侧的方差；v表示光谱高能侧的方差。

2.根据权利要求1所述的LED多芯片模组的光、色性能预测方法，其特征是，所述变温变电流实验包括变温变电流LED结温测量实验和变温变电流LED光谱测量实验。

3.根据权利要求2所述的LED多芯片模组的光、色性能预测方法，其特征是，所述变温变电流LED结温测量实验采用结温测试仪或者红外照相机测量LED结温。

4.根据权利要求2所述的LED多芯片模组的光、色性能预测方法，其特征是，所述变温变电流LED光谱测量实验采用积分球测量LED光谱。

5.根据权利要求1所述的LED多芯片模组的光、色性能预测方法，其特征是，所述变温变电流实验设置多种不同的电流和多种不同的LED壳温，相邻电流之间的差值相同，相邻两壳温之间的差值相同。

6.根据权利要求1所述的LED多芯片模组的光、色性能预测方法，其特征是，所述光学仿真软件为LightTools。

7.根据权利要求1所述的LED多芯片模组的光、色性能预测方法，其特征是，所述LED多芯片模组采用同一型号的LED芯片。

8.根据权利要求1所述的LED多芯片模组的光、色性能预测方法，其特征是，设定LED的光谱为一组具有不同峰值波长的单峰光谱曲线的叠加，采用公式(1)对LED产品的初始光谱进行光谱拟合：

其中SPD_LED表示LED的光谱，SPD_i表示第i个单峰光谱，λ表示波长，n表示单峰光谱的数量。