[发明专利]半导体封装方法

权利要求书

1.一种半导体封装方法，其特征在于，其包括：

对待封装产品进行等离子体清洗处理，其中，向等离子体清洗处理空间供给的处理气体中包含氧气，所述氧气的体积占比至少为70％；

对完成等离子体清洗处理的所述待封装产品进行封装。

2.如权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，在对所述待封装产品进行等离子体清洗处理时，向等离子体清洗处理空间供给的处理气体中包含所述氧气和氩气，其中，所述氧气的体积占比为75％-85％，所述氩气的体积占比为15％-25％。

3.如权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，在对所述待封装产品进行等离子体清洗处理前，所述半导体封装方法还包括：

将芯片固定于基板，并将所述基板和引线框架固定连接，完成基板贴片工序；

将所述芯片和所述基板上的键合区通过金属线进行连接，完成引线键合工序以形成所述待封装产品。

4.如权利要求3所述的半导体封装方法，其特征在于，在将所述基板和引线框架固定连接之前，还包括对所述引线框架电镀金属层，所述金属层的材质为抗氧化性金属。

5.如权利要求3所述的半导体封装方法，其特征在于，在所述基板贴片工序之前还包括对所述基板进行等离子体清洗处理。

6.如权利要求5所述的半导体封装方法，其特征在于，在对所述基板进行等离子体清洗处理时，向等离子体清洗处理空间供给的处理气体中包含氧气，所述氧气的体积占比至少为70％。

7.如权利要求6所述的半导体封装方法，其特征在于，在对所述基板进行等离子体清洗处理时，向等离子体清洗处理空间供给的处理气体中包含所述氧气和氩气，其中，所述氧气的体积占比为75％-85％，所述氩气的体积占比为15％-25％。

8.如权利要求5所述的半导体封装方法，其特征在于，在对所述基板进行等离子体清洗处理时，和/或，在对所述待封装产品进行等离子体清洗处理时，先将等离子体清洗处理空间的气压抽到70mTorr-80mTorr，然后充入所述处理气体，待所述等离子体清洗处理空间中气压达到115mTorr-125mTorr开始清洗。

9.如权利要求3-7中任意一项所述的半导体封装方法，其特征在于，在将所述基板和引线框架固定连接时，通过回流载具固定所述基板和所述引线框架的相对位置，所述回流载具包括底座和固定压条，所述底座上开设有固定所述引线框架的框架固定槽，且在所述框架固定槽内开设有多个基板定位孔，所述基板定位孔用于固定所述基板，相邻的所述基板定位孔之间均设有导热部；所述固定压条覆设于所述框架固定槽上，所述固定压条用于将所述基板压设于所述基板定位孔中，以及将所述引线框架压设于所述框架固定槽中。

10.如权利要求9所述的半导体封装方法，其特征在于，所述底座设有定位凸起，所述固定压条的相应位置设有定位卡口，所述定位卡口卡设于所述定位凸起的外周缘，以定位所述底座和所述固定压条的相对位置；和/或，

所述固定压条的表面覆有涂层；所述涂层为特氟龙涂层。