[发明专利]一种提高变频器抗干扰模块装置

说明书

本发明公开了一种提高变频器抗干扰模块装置，包含有数个绝缘栅双极型晶体管模块、数个储能电容，所述绝缘栅双极型晶体管模块和储能电容均呈排列设置；所述绝缘栅双极型晶体管模块和储能电容设置在同一平面内，且所述绝缘栅双极型晶体管模块和储能电容所处的平面上下两侧分别设有叠层母排和水冷板；通过将整流和变频模块采用平面布置，从而减少了干扰强度，也提高了磁场分布的均匀性，达到提高干扰性能的目的。

技术领域

本发明涉及变频器应用领域，具体涉及一种提高变频器抗干扰模块装置。

背景技术

目前，变频器的模块安装形式一般有如下三种：

一是分相布置，但是此种方式的接线复杂，直流部分部分需要导线连接，电流方向比较复杂，电磁分布杂乱，存在很大的干扰；

二是整流与变频分裂布置，但是此种方式由于连接导线均有电感，容易将电感放大，并且由于铜排连接点电流汇聚，使叠层母线内各部电流密度不均匀，存在很大的干扰；

三是采用“U”叠层母线结构，由于整个绝缘栅双极型晶体(IGBT)模块处于磁场中，该磁场随电流大小影响IGBT模块内电子流方向和速度，变频器的功率控制受到干扰。

因此迫切需要一种具备高抗干扰的变频器模块。

公开于该背景技术部分的信息仅仅旨在加深对本发明的总体背景技术的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域技术人员所公知的现有技术。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明提出了一种提高变频器抗干扰模块装置，以达到提高干扰性能的目的。

为达到上述目的，本发明的技术方案如下：

一种提高变频器抗干扰模块装置，包含有数个绝缘栅双极型晶体管模块、数个储能电容，所述绝缘栅双极型晶体管模块和储能电容均呈排列设置；所述绝缘栅双极型晶体管模块和储能电容设置在同一平面内，且所述绝缘栅双极型晶体管模块和储能电容所处的平面上下两侧分别设有叠层母排和水冷板。

本发明通过将整流和变频模块采用平面布置，从而减少了干扰强度，也提高了磁场分布的均匀性，达到提高干扰性能的目的。

作为优选的，所述绝缘栅双极型晶体管模块通过锁紧螺栓与叠层母排连接。利用锁紧螺栓实现绝缘栅双极型晶体管模块与叠层母排之间的可拆式连接。

本发明具有如下优点：

1.本发明通过将整流和变频模块采用平面布置，即IGBT模块和储能电容设置在同一个平面内，从而减少了干扰强度，也提高了磁场分布的均匀性，达到提高干扰性能的目的。

2.本发明利用锁紧螺栓实现绝缘栅双极型晶体管模块与叠层母排之间的可拆式连接。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。

图1为本发明实施例公开的一种提高变频器抗干扰模块装置的结构示意图；

图2为本发明实施例公开的一种提高变频器抗干扰模块装置中IGBT模块的安排布示意图；

图中数字和字母所表示的相应部件名称：

1.IGBT模块 2.储能电容 3.叠层母排 4.水冷板 5.锁紧螺栓。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。