[发明专利]半导体存储装置及其制造方法

权利要求书

1.一种制造其中堆叠有多个存储器裸片的半导体存储装置的方法，所述方法包括：

在晶片上形成多个第一存储器裸片；

在包括形成在其上的所述多个第一存储器裸片的所述晶片上沉积底部填充材料，以形成底部填充层的第一段，所述底部填充层的所述第一段包括留在所述多个第一存储器裸片的顶表面上的所述底部填充层的第一部分；

执行第一半锯切工艺，以去除所述底部填充层的所述第一部分，并且在去除所述底部填充层的所述第一部分期间去除所述多个第一存储器裸片中的每个第一存储器裸片的边缘部分的一部分，以形成第一空腔；

在所述多个第一存储器裸片上形成多个第二存储器裸片；

在包括形成在其上的所述多个第二存储器裸片的所述晶片上沉积所述底部填充材料，以在所述底部填充层的所述第一段的剩余部分上形成所述底部填充层的第二段，所述底部填充层的所述第二段包括留在所述多个第二存储器裸片的顶表面上的所述底部填充层的第二部分；以及

执行第二半锯切工艺，以去除所述底部填充层的所述第二部分，并且在去除所述底部填充层的所述第二部分期间去除所述多个第二存储器裸片中的每个第二存储器裸片的边缘部分的一部分，以形成第二空腔。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述的执行所述第一半锯切工艺包括：将所述多个第一存储器裸片中的每个第一存储器裸片的四个边的边缘部分去除期望的厚度以形成所述第一空腔，并且

所述的执行所述第二半锯切工艺包括：将所述多个第二存储器裸片中的每个第二存储器裸片的四个边的边缘部分去除期望的厚度以形成所述第二空腔。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，

所述的执行所述第一半锯切工艺包括：将每个所述第一空腔形成为使得每个所述第一存储器裸片的每个边缘部分具有5μm或更大的厚度，并且

所述的执行所述第二半锯切工艺包括：将每个所述第二空腔形成为使得每个所述第二存储器裸片的每个边缘部分具有5μm或更大的厚度。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，

形成在所述第一存储器裸片的两个X轴向边缘部分处的所述第一空腔的宽度之和小于所述第一存储器裸片在Y轴方向上的宽度的一半，

形成在所述第一存储器裸片的两个Y轴向边缘部分处的所述第一空腔的宽度之和小于所述第一存储器裸片在X轴方向上的宽度的一半，

形成在所述第二存储器裸片的两个X轴向边缘部分处的所述第二空腔的宽度之和小于所述第二存储器裸片在Y轴方向上的宽度的一半，并且

形成在所述第二存储器裸片的两个Y轴向边缘部分处的所述第二空腔的宽度之和小于所述第二存储器裸片在X轴方向上的宽度的一半。

5.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括：

在所述多个第二存储器裸片上形成多个第三存储器裸片；

在包括形成在其上的所述多个第三存储器裸片的所述晶片上沉积所述底部填充材料，以在所述底部填充层的所述第二段的剩余部分上形成所述底部填充层的第三段，所述底部填充层的所述第三段包括留在所述多个第三存储器裸片的顶表面上的所述底部填充材料的第三部分；以及

执行第三半锯切工艺，以去除所述底部填充层的所述第三部分，并且在去除所述底部填充层的所述第三部分期间去除所述多个第三存储器裸片中的每个第三存储器裸片的边缘部分的一部分，以形成第三空腔。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述的执行所述第三半锯切工艺包括：将所述多个第三存储器裸片中的每个第三存储器裸片的四个边的边缘部分去除期望的厚度，以形成所述第三空腔。

7.根据权利要求5所述的方法，其中，所述的执行所述第三半锯切工艺包括：将每个所述第三空腔形成为使得所述多个第三存储器裸片中的每个第三存储器裸片的边缘部分具有5μm或更大的厚度。