[发明专利]铜基导电浆料及其制备方法和应用在审
| 申请号: | 201910317091.4 | 申请日: | 2019-04-19 |
| 公开(公告)号: | CN111834231A | 公开(公告)日: | 2020-10-27 |
| 发明(设计)人: | 范吉磊;李刚;廖思远;朱朋莉;孙蓉 | 申请(专利权)人: | 中国科学院深圳先进技术研究院 |
| 主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/488;H01L21/603;H01L21/607;H01B13/00;H01B1/22 |
| 代理公司: | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人: | 孙伟峰;吕颖 |
| 地址: | 518055 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 导电 浆料 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种铜基导电浆料的制备方法,其特征在于,包括步骤:
S1、将铜前驱体、无机氯化物保护剂及还原剂分散于反应溶剂中,获得反应体系;
S2、将所述反应体系于室温~150℃下充分反应10min~3h,获得铜溶胶;
S3、将所述铜溶胶进行固液分离、洗涤、干燥,获得树枝状铜;
S4、将所述树枝状铜均匀分散于导电浆料溶液中,获得铜基导电浆料。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,在所述步骤S1中,所述铜前驱体为氢氧化铜、甲酸铜、乙酸铜、柠檬酸铜、硝酸铜、硫酸铜、氯化铜中的至少一种;所述无机氯化物保护剂为氯化钠和/或氯化铜;所述还原剂为锡箔、镍箔、铝箔、铁箔中的至少一种;所述反应溶剂为水或水与醇剂的混合溶液。
3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,在所述步骤S1中,所述铜前驱体与所述无机氯化物保护剂的质量之比为0.5:1~20:1,所述铜前驱体和所述还原剂的质量之比为1:1~1:50。
4.根据权利要求1-3任一所述的制备方法,其特征在于,所述树枝状铜的主干的尺寸为20μm~50μm,枝干的尺寸为1μm~15μm。
5.根据权利要求4述的制备方法,其特征在于,在所述铜基导电浆料中,所述树枝状铜的质量百分数为10%~90%。
6.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,所述导电浆料溶液包括10%~80%的溶解溶剂、1%~10%的分散剂、1%~10%的粘度调节剂和1%~10%的粘结剂。
7.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,所述溶解溶剂为水、乙醇、丙酮、乙二醇、一缩二乙二醇、二缩二乙二醇、一缩二丙二醇、丙三醇、二乙二醇单甲醚醋酸酯、二甲苯、异丙醇中的至少一种;所述分散剂为聚乙烯吡咯烷酮、明胶、十六烷基三甲基溴化铵、聚乙二醇、聚乙烯醇、阿拉伯胶、十二烷基苯磺酸钠中的至少一种;所述粘度调节剂为乙基纤维素、丁基纤维素、聚乙二醇、聚乙烯醇中的至少一种;所述粘结剂为聚乙酸乙烯脂和/或聚偏氯乙烯。
8.一种采用权利要求1-7任一所述的制备方法制备获得的铜基导电浆料。
9.一种微电子封装方法,其特征在于,包括步骤:
Q1、将如权利要求8所述的铜基导电浆料涂覆在待封装芯片的铜片上,获得键合前驱体;
Q2、将两片所述键合前驱体的具有所述铜基导电浆料的一面相对并贴合,所述铜基导电浆料粘结,两片所述铜片键合。
10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,在所述步骤Q2中,于室温~350℃下进行加热键合和/或在0.1MPa~25MPa下进行加压键合和/或10kHz~200kHz下进行超声键合,键合时间为1min~60min。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





