[发明专利]一种光罩及其制作方法

说明书

本发明技术方案公开了一种光罩及其制作方法，所述光罩的制作方法包括：提供包括若干主图形和冗余图形的光罩版图；筛选出易发生静电释放的两相邻主图形；形成连接冗余图形与所述两相邻主图形中面积较小的主图形的辅助图形，所述辅助图形的宽度小于光刻机的分辨率。本发明技术方案利用辅助图形将相邻两主图形之间静电释放的电荷引至冗余图形中，避免了因静电释放而对主图形造成的损伤，提高了产品良率。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种光罩及其制作方法。

背景技术

在半导体制造工艺中，光刻工艺是一种日益发展的核心工艺。光刻是将光罩上图形形式的电路结构通过对准、曝光、显影等步骤转印到涂有光刻胶的硅片表面的工艺过程。

在光刻工艺中，光罩作为半导体器件的生产模具，其品质保证显得尤为重要，任何的缺陷反应到制品上都会导致产品良率降低，乃至器件失效。目前在光罩设计的过程中具有诸多问题，其中一个很难解决的问题在于，相邻两个主图形的相对尖脚处很容易发生电荷积聚形成高电场，从而引发静电释放(ESD，Electro-Static discharge)，导致光罩内部图形缺角或桥接损毁。

发明内容

本发明技术方案要解决的技术问题是光罩内部相邻主图形之间易发生静电释放，容易对主图形造成损伤。

为解决上述技术问题，本发明技术方案提供一种光罩的制作方法，包括：提供包括若干主图形和冗余图形的光罩版图；筛选出易发生静电释放的两相邻主图形；形成连接冗余图形与所述两相邻主图形中面积较小的主图形的辅助图形，所述辅助图形的宽度小于光刻机的分辨率。

可选的，所述两相邻主图形的图形信息满足预设范围，所述图形信息包括各主图形的面积、两相邻主图形之间的相对角度以及两相邻主图形的相对角之间的最短距离。

可选的，所述形成连接冗余图形与所述两相邻主图形中面积较小的主图形的辅助图形包括：形成连接所述面积较小的主图形与距其最近的冗余图形的辅助图形。

可选的，所述形成连接冗余图形与所述两相邻主图形中面积较小的主图形的辅助图形包括：形成连接所述面积较小的主图形上易发生静电释放的点与距其最近的冗余图形的辅助图形。

可选的，所述辅助图形的宽度w满足：w≤2R/3，R为光刻机的分辨率。

可选的，所述辅助图形包括第一直线段、圆环和第二直线段，所述第一直线段两端分别连接主图形和所述圆环，所述第二直线段两端分别连接冗余图形和所述圆环，所述第一直线段和第二直线段的宽度等于所述圆环的环宽且为所述辅助图形的宽度，所述圆环的内径大于或等于设计规则规定的最小图形间距。

可选的，所述第一直线段连接主图形的一端至所述圆环的圆心的距离和所述第二直线段连接冗余图形的一端至所述圆环的圆心的距离根据所述辅助图形连接的主图形和冗余图形的面积确定。

可选的，所述第一直线段连接主图形的一端、所述圆环的圆心和所述第二直线段连接冗余图形的一端在同一直线上。

可选的，所述的光罩的制作方法还包括：通过其它冗余图形和辅助图形将连接所述面积较小的主图形的辅助图形和冗余图形与所述光罩版图的图形区域外围的静电释放保护环连接。

可选的，所述的光罩的制作方法还包括：对形成有辅助图形的光罩版图进行设计规则验证，若违反设计规则，则调整所述辅助图形的尺寸和/或所述辅助图形与所述面积较小的主图形之间的夹角直至通过设计规则验证。

为解决上述技术问题，本发明技术方案还提供了一种光罩，具有包括若干主图形和冗余图形的光罩版图，所述主图形包括易发生静电释放的两相邻主图形，所述光罩版图还包括连接冗余图形与所述两相邻主图形中面积较小的主图形的辅助图形，所述辅助图形的宽度小于光刻机的分辨率。

可选的，所述辅助图形的宽度w满足：w≤2R/3，R为光刻机的分辨率。