[发明专利]一种耳机在位检测电路及检测方法在审
申请号: | 201910316126.2 | 申请日: | 2019-04-19 |
公开(公告)号: | CN110012407A | 公开(公告)日: | 2019-07-12 |
发明(设计)人: | 刘渊 | 申请(专利权)人: | 大唐终端技术有限公司 |
主分类号: | H04R29/00 | 分类号: | H04R29/00;H04R1/10 |
代理公司: | 北京中企鸿阳知识产权代理事务所(普通合伙) 11487 | 代理人: | 徐晶石 |
地址: | 300203 天津市滨海新区空港经*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 在位检测电路 电阻 耳机 麦克信号线 音频处理器 按键信号 右声道信号线 左声道信号线 声道信号线 端口连接 主处理器 瞬变电压抑制二极管 高频干扰 信号接口 一端连接 静电 比较器 右声道 左声道 电容 检测 磁珠 外部 | ||
1.一种耳机在位检测电路,其特征在于,包括:主处理器、音频处理器、耳机在位检测电路、麦克信号线、左声道信号线、右声道信号线和按键信号线,其中,
所述耳机在位检测电路包括比较器、第一电阻、第二电阻、第三电阻和第四电阻,其中,所述比较器的第一端口连接至电源VMIC端和第一电阻的一端,所述第一电阻的另一端连接至所述比较器的第三端口,所述比较器的第二端口连接至地和第二电阻的一端,所述第二电阻的另一端与所述第一电阻的另一端连接,所述比较器的第四端口与第三电阻的一端连接,所述比较器的输出端与所述主处理器的耳机检测端口连接,以向所述耳机检测端口提供高电平,所述主处理器进一步与音频处理器连接,
所述麦克信号线与磁珠的一端连接,所述磁珠的另一端与所述第三电阻的另一端和所述音频处理器的麦克端口连接,所述按键信号线与所述主处理器的GPIO端口连接;所述左声道信号线与所述音频处理器的左声道端口连接,所述右声道信号线与所述音频处理器的右声道端口连接。
2.如权利要求1所述的耳机在位检测电路,其特征在于,所述磁珠的另一端与第五电阻一端、第一瞬态电压抑制二极管的一端、第一电容的一端、音频处理器的麦克端口连接,所述第五电阻另一端与电源VMIC端连接,以为音频信号提供偏置电压,所述第一瞬态电压抑制二极管RV1的另一端和第一电容的另一端均接地,以防止外部静电损坏内部接口和滤除高频噪声。
3.如权利要求1所述的耳机在位检测电路,其特征在于,所述按键信号线与第二瞬态电压抑制二极管的一端、第二电容的一端、主处理器的GPIO端口相连,所述第二瞬态电压抑制二极管的另一端和第二电容的另一端接地,以防止外部静电损坏内部接口和滤除高频噪声。
4.如权利要求1所述的耳机在位检测电路,其特征在于,所述左声道信号线与与第三瞬态电压抑制二极管的一端、第三电容的一端、音频处理器的左声道端口相连,所述第三瞬态电压抑制二极管的另一端和第三电容的另一端接地,以防止外部静电损坏内部接口和滤除高频噪声;
所述右声道信号线与第四瞬态电压抑制二极管的一端、第四电容的一端、所述音频处理器右声道端口相连,所述第四瞬态电压抑制二极管的另一端和第四电容C4的另一端接地,以防止外部静电损坏内部接口和滤除高频噪声。
5.如权利要求1所述的耳机在位检测电路,其特征在于,所述第一端口为所述比较器的供电端,所述第二端口为所述比较器的接地端,所述第三端口为所述比较器的参考电压输入端,所述第四端口为所述比较器的输入信号端。
6.一种应用权利要求1-5任一项所述的耳机在位检测电路的耳机在位检测方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤S1,主处理器检测耳机检测端口的电平状态,根据所述电平状态判断耳机的在位状态,当判断所述耳机不在位时,执行步骤S2,否则执行步骤S3;
步骤S2,当所述耳机不在位时,设置触发中断模式为低电平触发中断,等待中断触发,同时上报耳机状态,记录当前耳机在位检测接口的电平值;判断当前电平值与中断触发前的电平是否相反,如果是则执行步骤S3,否则继续设置低电平触发中断;
步骤S3,当所述耳机在位时,打开耳机及MIC通路,设置触发中断模式为高电平触发中断,等待中断触发,同时上报耳机状态,记录当前耳机在位检测接口的电平值;判断当前电平值与中断触发前的电平是否相反,如果是则执行步骤S2,否则继续设置高电平触发中断。
7.如权利要求6所述的耳机在位检测方法,其特征在于,在所述步骤S1中,当所述耳机检测端口为高电平时,判断所述耳机不在位;当所述耳机检测端口为低电平时,判断所述耳机在位。
8.如权利要求6所述的耳机在位检测方法,其特征在于,在所述步骤S1中,当所述耳机检测端口为低电平时,判断所述耳机不在位;当所述耳机检测端口为高电平时,判断所述耳机在位。
9.如权利要求6所述的耳机在位检测方法,其特征在于,在所述步骤S2和步骤S3中,触发中断后,延时预设时长后,上报耳机状态,记录当前耳机在位检测接口的电平值。
10.如权利要求9所述的耳机在位检测方法,其特征在于,所述延时时长为300ms至800ms。
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