[发明专利]一种显示面板及其制备方法在审
| 申请号： | 201910314205.X | 申请日： | 2019-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN110071226A | 公开（公告）日： | 2019-07-30 |
| 发明（设计）人： | 方俊雄;吴元均;吕伯彦 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52;H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 阴极 彩膜基板 辅助阴极 显示面板 像素区域 阵列基板 阳极 黑色矩阵 发光层 金属层 彩膜 制备 并联接触 对向设置 申请 | ||
1.一种显示面板，其特征在于，包括对向设置的阵列基板以及彩膜基板；
所述阵列基板包括阳极、阴极以及设置于所述阳极与所述阴极之间的发光层，所述阵列基板上定义有像素区域，所述发光层对应所述像素区域设置；
所述彩膜基板包括对应所述像素区域的彩膜，以及位于相邻两所述彩膜之间的黑色矩阵；
所述彩膜基板在对应所述黑色矩阵的位置设置有辅助阴极，所述辅助阴极上设置有金属层；
其中，所述阴极通过所述金属层与所述辅助阴极并联接触。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述黑色矩阵表面设置有缓冲垫，所述辅助阴极设置于所述缓冲垫上。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述缓冲垫、所述辅助阴极以及所述金属层均位于所述黑色矩阵遮蔽的范围内。
4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述缓冲垫与所述彩膜相邻的表面与所述黑色矩阵表面呈预设角度倾斜设置，所述缓冲垫包裹于所述辅助阴极内。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述金属层形成于所述辅助阴极表面，并与所述黑色矩阵接触。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述金属层达到融点的温度为100℃以内。
7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述阴极为透明或半透明材料。
8.一种显示面板的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
步骤S10，一阵列基板上制备有阳极、阴极以及设置于所述阳极与所述阴极之间的发光层，所述阵列基板上定义有像素区域，所述发光层对应所述像素区域设置；
步骤S20，一彩膜基板上制备有黑色矩阵以及对应所述像素区域的彩膜，在所述黑色矩阵上依次制备辅助阴极与金属层；
步骤S30，将所述彩膜基板加热到所述金属层达到熔融状态，将所述阵列基板与所述彩膜基板对位贴合，使得所述阴极通过所述金属层与所述辅助阴极并联接触。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S20包括以下步骤：
步骤S201，在所述黑色矩阵上制备缓冲垫；
步骤S202，在所述缓冲垫上制备所述辅助阴极；
步骤S203，在所述辅助阴极上制备所述金属层，其中，所述缓冲垫、所述辅助阴极以及所述金属层均位于所述黑色矩阵的范围内。
10.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤S30中，所述彩膜基板的加热温度为100℃以内，使得所述金属层达到熔融状态。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
