[发明专利]触控薄膜元件穿孔导电结构及方法在审
| 申请号： | 201910313002.9 | 申请日： | 2019-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN110012615A | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 钟惠怡 | 申请（专利权）人： | 业成科技（成都）有限公司;业成光电（深圳）有限公司;英特盛科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H05K3/36 | 分类号： | H05K3/36;H05K13/04;H05K13/08;H05K3/40;H05K1/02;H05K1/11;H05K1/14 |
| 代理公司： | 成都希盛知识产权代理有限公司 51226 | 代理人： | 杨冬梅;张行知 |
| 地址： | 611730 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 导电胶 触控元件 穿孔 薄膜 薄膜元件 触控 导电线路层 导电 复数导电线路 柔性电路板 轴向穿孔 导通 有效地控制 导电结构 点导电胶 方式设置 串接 点胶 一轴 填充 | ||
1.一种触控薄膜元件穿孔导电之方法，其特征在于，该方法系包括步骤：
步骤A：于一薄膜触控元件上进行穿孔，而形成一轴向穿孔；
步骤B：将穿孔后之该薄膜触控元件固定；
步骤C：利用一底盘真空吸附装置对该薄膜触控元件进行底盘真空吸附，使真空吸附该薄膜触控元件之轴向穿孔底部；
步骤D：于该轴向穿孔中进行点一导电胶，使该导电胶因底盘真空吸附产生表面张力而于该轴向穿孔底部上形成一下盖，并使该下盖接触该薄膜触控元件底层之导电线路层；
步骤E：利用一雷射光侦测装置，以雷射光侦测该下盖导电胶形状，侦测包括此形状之直径与高度；
步骤F：以UV光照射固化该下盖导电胶形状；
步骤G：持续点导电胶直到该轴向穿孔顶部上形成一上盖雏形；
步骤H：再利用该底盘真空吸附装置对该轴向穿孔顶部进行底盘真空吸附，使该上盖成型并接触该薄膜触控元件上层之导电线路层；
步骤I：再利用该雷射光侦测装置，以雷射光侦测该上盖导电胶形状，侦测包括此形状之直径与高度；
步骤J：以UV光照射固化该上盖导电胶形状；
步骤K：对该导电胶进行第二段固化，使该导电胶达到完全固化；
步骤L：将一柔性电路板相接于该薄膜触控元件之导电线路层其中之一上。
2.如权利要求1所述之触控薄膜元件穿孔导电之方法，其中该导电胶进行第二段固化方式系为高温固化。
3.如权利要求1所述之触控薄膜元件穿孔导电之方法，其中该底盘真空吸附装置之真空吸力范围为0.01～0.1MPa。
4.如权利要求1所述之触控薄膜元件穿孔导电之方法，其中该导电胶之上盖、下盖直径为150～350μm，高度为20～70μm。
5.如权利要求1所述之触控薄膜元件穿孔导电之方法，其中该薄膜触控元件之轴向穿孔直径范围为100～300μm，穿孔深度为100～300μm。
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