[发明专利]有机发光二极管显示器及其制造方法有效
| 申请号： | 201910308313.6 | 申请日： | 2019-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN110098345B | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | 艾娜 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 有机 发光二极管 显示器 及其 制造 方法 | ||
1.一种有机发光二极管显示器，其特征在于，所述有机发光二极管显示器包括：
一基板，所述基板具有相对的第一表面和第二表面；
有机发光二极管，所述有机发光二极管形成于所述基板上，所述有机发光二极管包括依次形成于所述基板的第一表面的第一电极、有机发光层以及第二电极；以及
一结晶散射层，所述结晶散射层形成于所述有机发光二极管的出光侧；
所述结晶散射层为有机结晶层，所述结晶散射层的制备材料为结晶聚合物，所述结晶散射层的制备材料的结构简式为-(CH2-CH2)n-，所述n的取值范围为10-5000。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其特征在于，所述第二电极为透明电极或半透明电极，所述结晶散射层形成于所述第二电极远离所述基板的表面。
3.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其特征在于，所述第一电极为透明电极，所述结晶散射层形成于所述基板的第二表面。
4.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其特征在于，所述结晶散射层的厚度为1微米-2微米。
5.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其特征在于，所述结晶散射层透光率大于90％。
6.一种有机发光二极管显示器的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括如下步骤：
提供一基板，所述基板具有相对的第一表面和第二表面；
于所述基板的第一表面依次形成第一电极、有机发光层以及第二电极，所述第一电极、所述有机发光层以及所述第二电极构成有机发光二极管；
于所述有机发光二极管的出光侧形成结晶散射层；
所述结晶散射层为有机结晶层，所述结晶散射层的制备材料为结晶聚合物；
所述结晶散射层的制备材料的结构简式为-(CH2-CH2)n-，所述n的取值范围为10-5000。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
