[发明专利]包括标准单元的集成电路

说明书

一种包括标准单元的集成电路包括：多个第一阱，以第一宽度沿第一水平方向延伸并具有第一导电类型；以及多个第二阱，以第二宽度沿第一水平方向延伸并具有第二导电类型，其中所述多个第一阱和所述多个第二阱在与第一水平方向正交的第二水平方向上交替布置，当m和n是大于或等于3的整数时，标准单元具有第二水平方向上的长度，该长度等于第一宽度的一半的m倍与第二宽度的一半的n倍之和。

技术领域

本发明构思涉及集成电路，更具体地，涉及包括标准单元的集成电路和制造集成电路的方法。

背景技术

集成电路可以包括多个标准单元。集成电路可以包括提供相同功能的标准单元，并且可以包括提供不同功能的标准单元。此外，集成电路可以包括提供相同功能与不同特性的标准单元，并且可以包括例如在执行相同功能的多个标准单元之中基于例如操作速度、功耗、面积等选择的标准单元。根据半导体工艺的发展，可以提供具有减小的面积的标准单元，但是为了满足期望的要求，例如期望的操作速度，在给定的半导体工艺中制造的集成电路可能需要提供高的电流驱动能力的大面积标准单元。

发明内容

本发明构思涉及包括标准单元的集成电路，并提供了提供高的电流驱动能力和高效结构的标准单元、包括该标准单元的集成电路、以及制造集成电路的方法。

根据本发明构思的一方面，提供了一种包括标准单元的集成电路，该集成电路包括：沿第一水平方向延伸的多个第一阱，所述多个第一阱具有第一宽度和第一导电类型；以及沿第一水平方向延伸的多个第二阱，所述多个第二阱具有第二宽度和第二导电类型，其中所述多个第一阱和所述多个第二阱在与第一水平方向正交的第二水平方向上交替布置，以及其中标准单元具有第二水平方向上的长度，该长度等于第一宽度的一半的m倍与第二宽度的一半的n倍之和，其中m和n是大于或等于3的整数。

根据本发明构思的另一方面，提供了一种包括标准单元的集成电路，该集成电路包括：多个第一电源线，沿第一水平方向延伸并被施加第一供电电压；以及多个第二电源线，沿第一水平方向延伸并被施加第二供电电压，其中所述多个第一电源线和所述多个第二电源线在与第一水平方向正交的第二水平方向上以相等的间隔交替布置，标准单元具有第二水平方向上的长度，该长度大于或等于彼此相邻的第一电源线和第二电源线之间的节距的三倍。

根据本发明构思的另一方面，提供了一种包括标准单元的集成电路，该标准单元包括：至少两个第一有源区，具有第一导电类型并沿第一水平方向延伸；至少两个第二有源区，具有第二导电类型并沿第一水平方向延伸；以及第一栅极线，沿与第一水平方向正交的第二水平方向延伸，第一栅极线在所述至少两个第一有源区上形成晶体管，其中所述至少两个第一有源区和所述至少两个第二有源区在第二水平方向上交替布置。

附图说明

附于本说明书的附图可能按不准确的比例绘制并且可能夸大或缩小部件以便于绘图。

本发明构思的实施方式将由以下结合附图的详细描述被更清楚地理解，附图中：

图1A和1B示出根据本发明构思的示例实施方式的集成电路(IC)；

图2A至2D示出根据本发明构思的示例实施方式的IC；

图3A和3B示出根据本发明构思的示例实施方式的IC；

图4和5示出根据本发明构思的示例实施方式的IC；

图6示出根据本发明构思的一示例实施方式的IC；

图7示出根据本发明构思的一示例实施方式的扩散中断部；

图8A和8B示出根据本发明构思的示例实施方式的IC；

图9示出根据本发明构思的一示例实施方式的IC；

图10是根据本发明构思的一示例实施方式的制造IC的方法的流程图；