[发明专利]一种薄膜沉积镀膜系统及对薄膜进行沉积镀膜的方法有效
申请号: | 201910307366.6 | 申请日: | 2019-04-16 |
公开(公告)号: | CN110129771B | 公开(公告)日: | 2021-04-20 |
发明(设计)人: | 邵涛;孔飞;章程;张帅;张鹏浩 | 申请(专利权)人: | 中国科学院电工研究所 |
主分类号: | C23C16/56 | 分类号: | C23C16/56;C23C16/54;C23C16/515 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 尚素丽 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 薄膜 沉积 镀膜 系统 进行 方法 | ||
1.一种薄膜沉积镀膜系统,其特征在于,包括:
后处理装置,包括靠近所述薄膜(2)两面并相对设置的高压电极板(5)和接地电极板(3),所述高压电极板(5)靠近所述薄膜(2)的一面设置有用于镀膜表面老练的局部放电结构,所述后处理装置为两组,两组所述后处理装置沿所述薄膜(2)的输送方向依次设置,两组所述后处理装置的高压电极板(5)分设于所述薄膜(2)的不同侧;
还包括设于所述后处理装置的输入端的镀膜装置,和设置于所述镀膜装置的输入端的预处理装置,所述预处理装置包括分别靠近所述薄膜(2)两面并相对设置的高压电极板(5)和接地电极板(3),所述高压电极板(5)靠近所述薄膜(2)的一面设置有介质阻挡层(4);所述镀膜装置为两组,两组所述镀膜装置沿所述薄膜(2)的输送方向依次设置,两组所述镀膜装置的高压电极阵列(7)分设于所述薄膜(2)的不同侧;所述预处理装置为两组,两组所述预处理装置沿所述薄膜(2)的输送方向依次设置,两组所述预处理装置的高压电极板(5)分设于所述薄膜(2)的不同侧;
所述镀膜装置包括靠近所述薄膜(2)两面并相对设置的接地电极板(3)和高压电极阵列(7),所述高压电极阵列(7)形成有若干等间距排列的第一进气孔,所述高压电极阵列(7)靠近所述薄膜(2)的一面设置有介质阻挡阵列(8),所述介质阻挡阵列(8)形成有若干与所述第一进气孔对应设置的第二进气孔。
2.根据权利要求1所述的薄膜沉积镀膜系统,其特征在于,所述局部放电结构为电晕放电结构。
3.根据权利要求2所述的薄膜沉积镀膜系统,其特征在于,所述电晕放电结构为若干均匀排布的针状结构。
4.根据权利要求1-3任一项所述的薄膜沉积镀膜系统,其特征在于,还包括用于输送薄膜(2)的输送装置,所述输送装置包括用于输送薄膜(2)的第二滚轮(9)和用于收集薄膜(2)的收集辊(10),所述后处理装置设置于所述第二滚轮(9)和所述收集辊(10)之间。
5.根据权利要求4所述的薄膜沉积镀膜系统,其特征在于,所述镀膜装置包括靠近所述薄膜(2)两面并相对设置的接地电极板(3)和高压电极阵列(7),所述高压电极阵列(7)形成有若干等间距排列的第一进气孔,所述高压电极阵列(7)靠近所述薄膜(2)的一面设置有介质阻挡阵列(8),所述介质阻挡阵列(8)形成有若干与所述第一进气孔对应设置的第二进气孔。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的