[发明专利]具有多层压电基板的声波器件

权利要求书

1.一种声波器件，包括：

压电层；

在所述压电层上的叉指换能器电极；

在所述压电层的相对侧面上的高速层；以及

位于所述压电层和所述高速层中的第一高速层之间的低速层，所述低速层具有低于所述高速层的声速，所述低速层的声速为在所述低速层中传播的剪切波的声音速度，且所述声波器件配置为产生边界声波，使得声能集中在所述压电层和所述低速层的边界处。

2.如权利要求1所述的声波器件，其中所述高速层的每一个的声速高于所述边界声波的速度。

3.如权利要求1所述的声波器件，其中低速层包括二氧化硅。

4.如权利要求3所述的声波器件，其中所述高速层为硅层。

5.如权利要求1所述的声波器件，其中所述高速层中的至少一个为硅层。

6.如权利要求1所述的声波器件，其中所述高速层中的至少一个包括氮化硅、氮化铝、金刚石、石英或尖晶石中的至少一个。

7.如权利要求1所述的声波器件，其中所述压电层为钽酸锂层。

8.如权利要求1所述的声波器件，其中所述压电层为铌酸锂层。

9.如权利要求1所述的声波器件，其中所述各高速层为由彼此相同材料的制成。

10.如权利要求1所述的声波器件，其中所述边界声波具有λ的波长，且所述高速层中的至少一个具有在1λ至10λ的范围内的厚度。

11.如权利要求1所述的声波器件，其中所述声波器件具有在10微米(μm)至100μm范围内的厚度。

12.如权利要求1所述的声波器件，其中所述边界声波具有λ的波长，且所述压电层具有小于2λ的厚度。

13.如权利要求1所述的声波器件，其中所述边界声波的速度为在2500米/秒至4800米/秒的范围内。

14.如权利要求1所述的声波器件，其中所述边界声波的速度为在4100米/秒至4800米/秒的范围内。

15.一种射频模块，包括：

声波滤波器，其配置为对射频信号进行滤波，所述声波滤波器包括声波器件，所述声波器件包括：压电层；在所述压电层上的叉指换能器电极；在所述压电层的相对侧面上的高速层；以及设置在所述压电层和所述高速层中的第一高速层之间的低速层，所述低速层具有比所述高速层更低的声速，且所述声波器件配置为产生边界声波，使得声能集中在所述压电层和所述低速层的边界处；以及

射频开关，其耦接到所述声波滤波器，所述射频开关与所述声波滤波器进行封装。

16.如权利要求15所述的射频模块，其进一步包括功率放大器，所述射频开关配置为将所述功率放大器的输出选择性地电连接到所述声波滤波器。

17.如权利要求15所述的射频模块，其进一步包括天线端口，所述射频开关配置为将所述声波滤波器选择性地电连接到所述射频模块的天线端口。

18.一种利用声波滤波器对射频信号进行滤波的方法，所述方法包括：

向所述声波滤波器提供射频信号；以及

利用所述声波滤波器对所述射频信号进行滤波，所述声波滤波器包括声波器件，所述声波器件包括：压电层；在所述压电层上的叉指换能器电极；在所述压电层的相对侧面上的高速层；以及位于所述压电层和所述高速层中的第一高速层之间的低速层，所述低速层具有比所述高速层更低的声速，且所述声波器件产生边界声波，使得声能被集中在所述压电层和所述低速层的边界处。