[发明专利]一种高介电复合膜的制备方法和应用有效
| 申请号： | 201910305291.8 | 申请日： | 2019-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN110003514B | 公开（公告）日： | 2020-07-21 |
| 发明（设计）人： | 周榆久;徐建华;王婷;陈富佳 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C08J7/04 | 分类号： | C08J7/04;C08J5/18;C08L27/16 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 李双艳 |
| 地址： | 610000 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高介电 复合 制备 方法 应用 | ||
1.一种高介电复合膜的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
在基板上形成第一聚合物膜；然后，在第一聚合物膜上形成金属层；最后，在金属层上通过流延形成第二聚合物膜；
所述流延为溶液流延；
溶液流延所用涂料的溶剂，能够将第一聚合物膜溶解和/或溶胀；
所述第一聚合物膜包括：聚偏氟乙烯基聚合物膜，聚脲基聚合物膜，聚酰亚胺基聚合物膜，聚氨酯膜以及聚乙烯醇膜中的至少一种；
所述金属层包括：选自金，铂，铜，锌，以及铝的单一金属层或合金层；
所述第二聚合物膜包括：聚偏氟乙烯基聚合物膜，聚脲基聚合物膜，聚酰亚胺基聚合物膜，聚氨酯膜，聚乙烯醇膜中的至少一种；
所述金属层的厚度为5～200nm。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一聚合物膜包括：聚偏氟乙烯-三氟氯乙烯膜，聚偏氟乙烯-三氟乙烯膜，聚偏氟乙烯-三氟乙烯-三氟氯乙烯膜，聚酰亚胺膜以及氟化聚酰亚胺膜中的至少一种。
3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述第一聚合物膜的厚度为0.1～100μm。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述第一聚合物膜的厚度为0.5～50μm。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述第一聚合物膜的厚度为1～20μm。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第二聚合物膜包括：聚偏氟乙烯-三氟氯乙烯膜，聚偏氟乙烯-三氟乙烯膜，聚偏氟乙烯-三氟乙烯-三氟氯乙烯膜，聚酰亚胺膜，以及氟化聚酰亚胺膜中的至少一种。
7.根据权利要求1或6所述的制备方法，其特征在于，所述第二聚合物膜的厚度为0.5～100μm。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述第二聚合物膜的厚度为0.5～50μm。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述第二聚合物膜的厚度为1～20μm。
10.由权利要求1-9中任一项所述的制备方法得到的高介电复合膜。
11.权利要求10所述的高介电复合膜在电容储能，有机压电，以及电能转换中的应用。
12.包含权利要求10所述高介电复合膜的器件或装置。
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