[发明专利]晶圆清洗装置及其清洗方法有效
申请号: | 201910303855.4 | 申请日: | 2019-04-16 |
公开(公告)号: | CN111223791B | 公开(公告)日: | 2022-07-26 |
发明(设计)人: | 董学儒;蔡奉儒 | 申请(专利权)人: | 南亚科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 傅磊;黄艳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 清洗 装置 及其 方法 | ||
1.一种晶圆清洗装置,包括:
一槽罐,包括一底壁、连接到该底壁的一侧壁、可移动地安装在该底壁上方的一分隔壁,该分隔壁将该底壁和该侧壁定义的一清洗空间分成一第一隔室和一第二隔室,其中当该分隔壁处于离开底壁的第一位置时,形成与该第一隔室和该第二隔室连通的一通道,并且在一晶圆清洗过程,该通道浸没在该清洗空间的一清洗液中,并且其中,分隔壁处于向下滑动并与底壁接触的第二位置时,通道关闭,以防止第一隔室和第二隔室之间的清洗液连通;以及
一晶圆保持器,适应于浸入该清洗液中并且在该第一隔室和该第二隔室之间移动,
还包括至少一个控制器电耦合到该分隔壁,并且该分隔壁因应于该控制器的控制,相对于该底壁移动,
还包括至少一个感测器,该感测器设置在该槽罐的上方并且电耦合到该控制器,其中该感测器经配置以检测该清洗液的一污染水平和一液位。
2.如权利要求1所述的晶圆清洗装置,其中该第二隔室与该第一隔室相邻。
3.如权利要求1所述的晶圆清洗装置,其中该晶圆保持器因应于该控制器的控制垂直和水平移动。
4.如权利要求3所述的晶圆清洗装置,还包括:
一流体供应单元,设置在该槽罐的上方并且电连接到该控制器,其中该流体供应单元经配置以将该清洗液提供给该槽罐;以及
一流体返回单元,设置在该槽罐的上方并且电连接到该控制器,其中该流体返回单元经配置以从该槽罐中排出该清洗液。
5.如权利要求1所述的晶圆清洗装置,还包括一搅拌产生器,该搅拌产生器位于该槽罐的外部并且附接到该底壁,其中该搅拌产生器经配置以搅拌该清洗液。
6.如权利要求1所述的晶圆清洗装置,还包括一气体供应器,该气体供应器放置在该清洗空间内并且经配置以对该清洗液提供气泡。
7.如权利要求1所述的晶圆清洗装置,其中该底壁、该侧壁和该分隔壁由一耐腐蚀材料制成。
8.如权利要求1所述的晶圆清洗装置,其中该第一隔室和该第二隔室具有实质上相同的容积。
9.一种晶圆的清洗方法,包括:
供应一清洗液到一槽罐,该槽罐包括用于将该槽罐分成一第一隔室和一第二隔室的一可移动的分隔壁;
放置该晶圆在一晶圆保持器中,该晶圆保持器适应于在该第一隔室和该第二隔室之间转移该晶圆,其中该晶圆保持器最初位于该第一隔室内;
浸入该分隔壁到清洗液中,浸入该晶圆到该第一隔室内的该清洗液中;
提升该分隔壁的一部分以连通该第一隔室和该第二隔室;
将该晶圆从该第一隔室转移到该第二隔室;以及
从该第二隔室内的该清洗液中移开该晶圆,
其中当该分隔壁处于离开底壁的第一位置时,形成与该第一隔室和该第二隔室连通的一通道,
并且其中,分隔壁处于向下滑动并与底壁接触的第二位置时,通道关闭,以防止第一隔室和第二隔室之间的清洗液连通。
10.如权利要求9所述的清洗方法,还包括:
在提升该分隔壁的部分之前,将晶圆放置在该清洗液中一预设的时间;以及
在晶圆转移到该第二隔室之后,将该分隔壁的一部分浸入该清洗液中。
11.如权利要求10所述的清洗方法,还包括在将晶圆放置在清洗液中之前搅拌该清洗液以产生一搅拌的清洗液。
12.如权利要求11所述的清洗方法,其中该清洗液以一超音波频率搅拌。
13.如权利要求10所述的清洗方法,还包括在将该晶圆放置在该清洗液中之前在清洗液中提供气泡。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造