[发明专利]一种测量中子能谱的反演算法

权利要求书

1.一种测量中子能谱的反演算法，其特征在于：所述的反演算法内容如下：

(1)确定单个SRAM芯片的翻转概率

确认一个SRAM芯片的单粒子翻转截面曲线，用Weibull函数来拟合，函数定义为：

其中，f_sat为芯片饱和翻转截面，E为中子能量，E_th为芯片翻转阈值常在MeV量级，s和W是拟合参数； 设一个中子源通量随能量分布函数为ρ(E)，则一个芯片在这个中子源上的翻转概率k为：

k＝∫f(E)*ρ(E)dE

由于ρ(E)常使用划分的区间来表示，所以在离散条件下上面的公式可以重新表示为：

k＝∑f(E_i)×ρ(E_i)

(2)确定一组SRAM芯片的翻转概率

假设测试中共采用的一组芯片数量为N，每块芯片的翻转概率为k_i,根据离散条件下芯片翻转概率的表达式，k_i可以表达为：

该公式中E_j表示中子能谱第j道对应的能量； 从该公式可以看出，芯片的翻转概率是所有能量值的线性组合； 采用矩阵的方式，将一组中所有芯片的翻转概率表示为：

k＝Fρ

其中k和ρ为列向量，F被称为芯片的能谱响应矩阵；

(3)求解原始能谱

通过所有芯片的翻转概率分布和响应矩阵情况，采用贝叶斯方法进行求解原始能谱，根据贝叶斯条件概率理论进行推导，可以得到能谱分布的后验概率迭代评估值为：

其中N为芯片总数，M为能谱的总道数，ρ^(s+1)(E_i)为第(s+1)次迭代得到的能谱分布。