[发明专利]一种制备晶片级均匀六方氮化硼薄膜的方法在审
| 申请号： | 201910298770.1 | 申请日： | 2019-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN111826712A | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 武斌;姚文乾;刘云圻 | 申请（专利权）人： | 中国科学院化学研究所 |
| 主分类号： | C30B25/00 | 分类号： | C30B25/00;C30B29/38;C23C16/02;C23C16/34;C25F3/22 |
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| 地址： | 100080 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制备 晶片 均匀 氮化 薄膜 方法 | ||
1.一种制备连续晶片级均匀六方氮化硼薄膜的方法，包括：对单晶金属面进行电化学抛光，再利用化学气相沉积法进行氮化硼的生长，即得。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述单晶金属为单晶铜；
所述单晶金属生长所述连续晶片级均匀六方氮化硼薄膜的晶面为(111)面或(110)面；
所述单晶金属的厚度为50μm-100μm。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述电化学抛光步骤中，所用抛光液由水、磷酸、乙醇、异丙醇和尿素组成；
所述水、磷酸、乙醇、异丙醇和尿素的用量比具体为250mL：125mL：125mL：25mL：4g。
4.根据权利要求1-3中任一所述的方法，其特征在于：所述电化学抛光步骤中，电压为3V-5V；具体为3.5V；
电流为2A-4A；具体为2.4A；
抛光时间为2min-5min；具体为3min。
5.根据权利要求1-4中任一所述的方法，其特征在于：所述生长步骤中，温度为950-1050℃；
升温速率为30-35min加热到1000-1050℃；
时间为1min-60min；具体为30-60min；更具体为20min；
所用惰性气体和氢气的流量比为0-500：50-300；具体为200：100；
所述惰性气体具体为氩气；
所述惰性气体的流量为0-500sccm；
所述氢气的流量为50-300sccm。
6.根据权利要求1-4中任一所述的方法，其特征在于：所述生长步骤中，所用硼氮源为固态硼烷氨络合物；具体为氨硼烷；
所述硼氮源的用量与所述连续晶片级均匀六方氮化硼薄膜的面积比为5mg：4*10cm2。
7.权利要求1-6中任一所述方法制备得到的连续晶片级均匀六方氮化硼薄膜。
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