[发明专利]半导体结构、显示面板及其制备方法和显示终端

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：

基板；

隔断结构，所述隔断结构设置在所述基板上，用于隔断位于所述隔断结构上方的膜层；

所述隔断结构至少包括依次层叠设置的基础膜层和隔断膜层；其中，所述隔断膜层覆盖所述基础膜层，且所述隔断膜层的至少一个侧边凸出于所述基础膜层的侧边，所述隔断膜层的至少一个端部为翘曲结构。

2.一种显示面板，其特征在于，所示显示面板包括如权利要求1所述的半导体结构。

3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括：

形成于所述基板上的第一电极；

形成于所述第一电极上的像素定义层，所述像素定义层上包括多个像素开口，所述像素开口内形成有与所述第一电极接触的发光层；

其中所述隔断结构包括第一隔断结构，所述第一隔断结构形成于所述像素定义层上，用于隔断第二电极材料层，以形成相互绝缘的多个第二电极，所述第二电极位于所述发光层上。

4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括：

走线，所述走线形成于所述基板上；

其中所述隔断结构包括第二隔断结构，所述第二隔断结构形成于所述基板上，用于隔断走线材料层，以形成相互绝缘的多条所述走线。

5.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述隔断膜层下表面的最高点相对于所述像素定义层的上表面所在的平面之间的间距为300nm～450nm。

6.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述基础膜层为无机膜层，所述隔断膜层为有机膜层。

7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述无机膜层的厚度为50nm～150nm；所述有机膜层的厚度为1μm～2μm。

8.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述无机膜层的材料是透明无机材料；所述有机膜层的材料是透明有机胶。

9.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述无机膜层和/或所述有机膜层的材料的光透过率大于70％。

10.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述无机膜层的材料为氧化铟锡、或氧化铟锌、或掺杂银的氧化铟锡、或者掺杂银的氧化铟锌、或铟镓锌氧化物、或铟锡氧化物或铝掺杂的氧化锌。

11.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述有机膜层的材料是光敏聚酰亚胺。

12.根据权利要求2-11任一项所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板为PMOLED显示面板或AMOLED显示面板。

13.根据权利要求12所述的显示面板，其特征在于，所述AMOLED显示面板的像素电路为1T电路、或2T1C电路、或3T1C电路、或3T2C电路、或7T1C电路、或7T2C电路。

14.一种显示终端，其特征在于，包括：

设备本体，具有器件区；

如权利要求2-13任一项所述的显示面板，覆盖在所述设备本体上；

其中，所述器件区位于所述显示面板的下方，且所述器件区中设置有透过所述显示面板进行光线采集的感光器件。

15.一种显示面板的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

提供基板；

在所述基板上形成隔断结构，用于隔断位于所述隔断结构上方的膜层；

所述隔断结构至少包括依次层叠的基础膜层和隔断膜层；其中，所述隔断膜层覆盖所述基础膜层，且所述隔断膜层的至少一个侧边凸出于所述基础膜层的表面，所述隔断膜层的端部为翘曲结构。