[发明专利]NAND闪存的垃圾回收方法及NAND闪存有效
| 申请号： | 201910295427.1 | 申请日： | 2019-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN110134616B | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | 李创锋;李嘉伦 | 申请（专利权）人： | 深圳市金泰克半导体有限公司 |
| 主分类号： | G06F12/02 | 分类号： | G06F12/02 |
| 代理公司： | 深圳智汇远见知识产权代理有限公司 44481 | 代理人： | 田俊峰 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市坪*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | nand 闪存 垃圾 回收 方法 | ||
1.一种NAND闪存的垃圾回收方法，其特征在于，
所述NAND闪存的待回收数据块分为多个待读取子数据块，每个待读取子数据块与一个通道相对应，每个待读取子数据块中存储着有效数据或无效数据，不同待回收数据块的同一位置的待读取子数据块对应相同的通道；
所述NAND闪存包括：
多个SRAM，每个SRAM与一个所述通道相对应，用于读取对应通道的待读取子数据块的数据，
控制器，用于控制所述SRAM对数据的读/写；
所述垃圾回收方法包括：
所述每个SRAM同时读取对应通道的待读取子数据块的有效数据；
所述每个SRAM同时读取对应通道的待读取子数据块的有效数据，包括：
所述控制器判断所述通道对应的当前待读取子数据块中是否为有效数据，
若当前待读取子数据块中为有效数据，则所述SRAM读取对应通道的当前待读取子数据块中的有效数据，
若当前待读取子数据块中为无效数据，则所述控制器判断对应通道的下一个待读取子数据块中的数据是否为有效数据，
若所述下一个待读取子数据块中的数据为有效数据，则读取下一个待读取子数据块中的有效数据；
所述SRAM将读取到的有效数据存储在闲置数据块中；
所述待回收数据块中的有效数据被读取后，所述待回收数据块被清除，成为闲置数据块。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述每个SRAM在同一个回收周期内读取有效数据。
3.一种NAND闪存，其特征在于，所述NAND闪存的待回收数据块分为多个待读取子数据块，每个待读取子数据块与一个通道相对应，每个待读取子数据块中存储着有效数据或无效数据，不同待回收数据块的同一位置的待读取子数据块对应相同的通道；
所述NAND闪存包括：
多个SRAM，每个SRAM与一个所述通道相对应，用于读取对应通道的待读取子数据块的数据，
控制器，用于控制所述SRAM对数据的读/写；
所述NAND闪存中，所述每个SRAM同时读取对应通道的待读取子数据块的有效数据；
所述每个SRAM同时读取对应通道的待读取子数据块的有效数据，包括：
所述控制器判断所述通道对应的当前待读取子数据块中是否为有效数据，
若当前待读取子数据块中为有效数据，则所述SRAM读取对应通道的当前待读取子数据块中的有效数据，
若当前待读取子数据块中为无效数据，则所述控制器判断对应通道的下一个待读取子数据块中的数据是否为有效数据，
若所述下一个待读取子数据块中的数据为有效数据，则读取下一个待读取子数据块中的有效数据；
所述SRAM将读取到的有效数据存储在闲置数据块中；
所述待回收数据块中的有效数据被读取后，所述待回收数据块被清除，成为闲置数据块。
4.如权利要求3所述的NAND闪存，其特征在于，所述每个SRAM在同一个回收周期内读取有效数据。
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