[发明专利]半导体组合物及其应用

权利要求书

1.一种半导体组合物，其包含半导体材料及半导体粘合剂聚合物，所述半导体粘合剂聚合物与半导体材料结合使用时，可以得到低于140至90Ohm.cm的接触电阻(宽度归一化)的高迁移率有机薄膜晶体管器件；这里，所述半导体粘合剂聚合物为聚三芳基胺。

2.根据权利要求1所述的半导体组合物，其中，当有机薄膜晶体管在沟道宽度缩小6至7倍时，所述器件的迁移率的降低不超过8％，优选地不超过6％。

3.根据权利要求1所述的组合物，其中所述聚三芳基胺为共聚物，可选地，所述共聚物至少一个重复单元且优选地至少30％的重复单元包含氰基或包括至少一个CN基团的有机基团；

而且，所述共聚物至少一个重复单元包含卤原子、或卤素取代的脂族烃基。

4.根据权利要求1所述的组合物，其中所述半导体粘合剂聚合物具有以下式(I)、式(VII)、式(VIII)、式(IXa)、或式(IXb)所示的共聚物

R^x独立地为氢、优选地具有1至10个碳原子的烷基、优选地具有1至10个碳原子的烷氧基、卤素、硝基或R^y；其中各R^y独立地为氰基或包括至少一个CN基团的有机基团，条件为三芳基胺聚合物中的至少一个重复单元且优选地至少30％的所述重复单元包括R^y基团且指数(j+k+l)的总和至少为1，所述聚合物中存在足够的R^y基团以确保其在1000Hz下的电容率大于3.4，式(I)、式(VII)、式(VIII)、式(IXa)、或式(IXb)中的所有所述重复单元中的R^x基团可以不相同，

R^Z为卤原子、或卤素取代的脂族烃基，这里，所述的卤素取代的脂族烃基是指其中任何位置被任何种类的卤素原子取代的脂族烃基；卤原子的实例包括氟原子，氯原子，溴原子和碘原子；优选地，R^Z为氟原子、氯原子和溴原子，更优选地，R^Z为氟原子；卤素取代的脂族烃基的具体实例包括氯甲基，溴甲基，三氟甲基，五氟乙基，正-全氟丙基，正-全氟丁基，正-全氟戊基，正-全氟辛基，正-全氟癸基，正-(十二氟)-6-碘己基，2,2,3,3,3-五氟丙基和2,2,3,3-四氟丙基；

所述聚合物的不同单元中可选择R^x及R^y的定义范围内的不同选项；

R^a及R^b各自独立地表示氢原子、取代的或未被取代的具有6至50个碳原子的芳族烃环状基团、取代的或未被取代的具有5至50个碳原子的芳族杂环基团、取代的或未被取代的具有1至50个碳原子的烷基、取代的或未被取代的具有3至50个碳原子的环烷基、取代的或未被取代的具有1至50个原子的烷氧基、取代的或未被取代的具有6至50个碳原子的芳烷基、取代的或未被取代的具有5至50个碳原子的芳氧基、取代的或未被取代的具有5至50个碳原子的芳硫基、取代的或未被取代的具有1至50个碳原子的烷氧基羰基、取代的或未被取代的具有1至50个碳原子的甲硅烷基、羧基、卤素原子、氰基、硝基或羟基；

A在每次出现时独立地为氢、卤素、苯基、频哪醇合硼基、或任何合适封端基团，包括WO1999/32537中描述的封端基团；

j及l在每次出现时独立地为0至4，

k在每次出现时独立地为0至5，更优选地至少10％的单体单元中的指数(j+k+l)的总和至少为1，不同所述单体单元之间的所述指数的总和可以不同，

a'为所述共聚物中式(II)的单体单元的数目(显示于本权利要求的式的左侧)，

b'为所述共聚物中式(III)、式(IV)、式(V)、式(VIa)、或式(VIb)的单体(显示于本权利要求的式的右侧)的单体单元的数目，且b'不等于0，

*(星号)表示卤素原子或合适的离去基团，所述共聚物优选地包含5％-100％(不包括100％)的式(II)的单体，更优选地10％-80％的式(II)的单体，还更优选地30％-70％的式(II)的单体。

5.根据权利要求4所述的组合物，其中氰基借助于连接基团连接至所述芳环。