[发明专利]一种评估半导电屏蔽材料发射性能的测试装置及评估方法

权利要求书

1.一种评估半导电屏蔽材料发射性能的测试装置，其特征在于，包括真空控制系统、性能测试系统，其中，性能测试系统包括测试室、测试样品、载物台、阳极、电流表、保护电阻、高压直流电源，所述测试样品固定在载物台上作为阴极，阳极接高压直流电源的正极端，测试样品接高压直流电源的阴极端，高压直流电源的阴极端接地，保护电阻和电流表串联在电路中，所述阳极、阴极均位于测试室中，所述真空控制系统控制测试室为真空状态。

2.根据权利要求1所述的一种评估半导电屏蔽材料发射性能的测试装置，其特征在于，所述真空控制系统包括控温装置和分子泵。

3.一种半导电屏蔽材料发射性能的评估方法，其特征在于，利用权利要求2所述的评估半导电屏蔽材料的测试装置，具体包括以下步骤：

S1、将测试样品与阳极的gap值调节到10μm~80μm；

S2、将测试室的真空度调节到3.5×Pa以下，关闭真空控制系统；

S3、打开高压直流电源，测定I-U曲线；

S4、将I-U曲线转化为福勒-诺德海姆（F-N）曲线。

4.根据权利要求3所述的一种半导电屏蔽材料发射性能的评估方法，其特征在于，在步骤S2和S3之间增加一步检测步骤ST，所述检测步骤ST为：在测试样品施加电压，观察电流表读数，若电流表示数始终为零，则将电压调回零，继续步骤S3；否则，重回步骤S1。

5.根据权利要求4所述的一种半导电屏蔽材料发射性能的评估方法，其特征在于，所述步骤S2具体包括：

S21、打开控温装置，将测试室的压强调节至2.5Pa以下，关闭控温装置；

S22、打开分子泵，将测试室的真空度调节到3.5×Pa以下，关闭分子泵。

6.根据权利要求4所述的一种半导电屏蔽材料发射性能的评估方法，其特征在于，检测步骤ST中所施加的电压不超过20V。