[发明专利]一种应用于探头表面高温导电耐蚀Ti-Nb-Ta合金薄膜材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201910291577.5 申请日: 2019-04-12
公开(公告)号: CN109930124B 公开(公告)日: 2020-06-12
发明(设计)人: 张宇阳;李俊超;吴爱民;王清;董闯;黄昊 申请(专利权)人: 大连理工大学
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/16;C23C14/02;C22C14/00
代理公司: 大连理工大学专利中心 21200 代理人: 李晓亮;潘迅
地址: 116024 辽*** 国省代码: 辽宁;21
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 应用于 探头 表面 高温 导电 ti nb ta 合金 薄膜 材料 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种应用于探头表面高温导电耐蚀Ti-Nb-Ta合金薄膜材料的制备方法,其特征在于,所述的合金薄膜材料包括Ti、Nb、Ta三种元素,其合金成分的原子百分比表达为Tix-Nby-Ta1-x-y,其中,x=97~98.4%,y=0.8~1.5%;

所述的应用于探头表面高温导电耐蚀Ti-Nb-Ta合金薄膜材料的制备方法,包括以下步骤:

(一)制备溅射靶材:

利用高纯Nb片和高纯Ta片制成厚度1mm、直径4mm圆形片或3mm×3mm方形片,按照最终薄膜材料所需合金成分各元素原子百分比,利用导电银胶在高纯Ti溅射靶材上均匀粘贴上述高纯Nb片和高纯Ta片,制成合金溅射靶材;

(二)制备三元合金薄膜:

首先,将探头样品作为基体进行超声清洗、烘干处理;其次,采用高真空多靶磁控溅射沉积系统,将探头样品固定在基片台上,将步骤(一)制备的合金溅射靶材以及同等尺寸的高纯Ti靶材分别固定在两个溅射靶头上,由真空系统将真空腔室抽真空至1.0×10-4pa~5.0×10-4pa;样品台温度控制在室温~300℃之间;通入氩气,调整气体流量为8sccm~15sccm,调节工作气压稳定在0.2pa~0.5pa,待示数稳定后调节溅射功率为80w~120w,溅射时间为30min~300min;最后,随炉充分冷却后取出探头样品,探头样品表面沉积合成三元Ti-Nb-Ta合金薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种应用于探头表面高温导电耐蚀Ti-Nb-Ta合金薄膜材料的制备方法,其特征在于,所述的钛靶、高纯Ta片和高纯Nb片纯度均要求为99%以上。

3.根据权利要求1或2所述的一种应用于探头表面高温导电耐蚀Ti-Nb-Ta合金薄膜材料的制备方法,其特征在于,在正式溅射沉积镀层前,预先利用离子源对探头表面进行Ar+离子刻蚀清洗,以去除探头表面氧化层以及吸附的有机物污染物。

4.根据权利要求1或2所述的一种用于探头表面高温导电耐蚀Ti-Nb-Ta合金薄膜材料的制备方法,其特征在于,在正式溅射沉积镀层前,预先对合金溅射靶材进行预溅射,去除靶材表面的氧化物或其他杂质。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大连理工大学,未经大连理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910291577.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top