[发明专利]布线膜和布线膜的形成方法在审
| 申请号: | 201910291541.7 | 申请日: | 2019-04-11 |
| 公开(公告)号: | CN110364538A | 公开(公告)日: | 2019-10-22 |
| 发明(设计)人: | 岛村刚直;赤尾安彦;前野泰伸;增茂邦雄;泷本康幸;吉野晴彦 | 申请(专利权)人: | AGC株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/02 |
| 代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 穆德骏;安翔 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 布线膜 初始层 合金 金属元素 金属 多层结构 成膜 基板 膜厚 基板上成膜 真空气氛 抽真空 溅射 | ||
1.一种布线膜,其为设置在基板上的多层结构的布线膜,其特征在于,
所述布线膜包含:
初始层,所述初始层成膜于所述基板上,膜厚为3nm~200nm,并且包含由金属元素构成的金属或合金、或者金属或合金的化合物;和
第二层及第二层之后的层,所述第二层及第二层之后的层成膜于所述初始层上,并且包含由金属元素构成的金属或合金、或者金属或合金的化合物,并且
所述布线膜在所述初始层与所述第二层之间具有界面。
2.如权利要求1所述的布线膜,其特征在于,所述初始层和所述第二层及第二层之后的层的主要成分为同种金属或合金、或者金属或合金的化合物。
3.如权利要求1或2所述的布线膜,其特征在于,所述初始层为含氧原子的层。
4.如权利要求3所述的布线膜,其特征在于,所述布线膜的层间氧原子含有比率为2以上。
5.如权利要求4所述的布线膜,其特征在于,所述布线膜的初始层氧原子含有比率为0.02~1.5。
6.如权利要求1~5中任一项所述的布线膜,其中,
所述金属元素为选自由Al、Cu、Ti、Mo、C、Si、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Zn、Ga、Ge、As、Se、Zr、Nb、Ru、Rh、Pd、Ag、Cd、In、Sn、Sb、Te、Ta、W、Ir、Pt、Au、Pb、Ru和Bi构成的组中的至少一种。
7.一种布线膜,其为通过真空气氛下的溅射而设置在基板上的包含金属元素的多层结构的布线膜,其中,
所述布线膜包含:
初始层,所述初始层成膜在所述基板上,并且膜厚为3nm~200nm;和
第二层及第二层之后的层,所述第二层及第二层之后的层是在所述初始层的成膜后进行抽真空、然后成膜在所述初始层上的层。
8.如权利要求7所述的布线膜,其中,
所述初始层的成膜后的抽真空后的压力为1.0×10-3Pa以下。
9.如权利要求7或8所述的布线膜,其中,所述布线膜由选自由Al、Cu、Ti、Mo、C、Si、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Zn、Ga、Ge、As、Se、Zr、Nb、Ru、Rh、Pd、Ag、Cd、In、Sn、Sb、Te、Ta、W、Ir、Pt、Au、Pb、Ru和Bi构成的组中的至少一种金属元素的金属或合金、或者金属或合金的化合物构成。
10.如权利要求1~9中任一项所述的布线膜,其中,
所述布线膜的通过X射线衍射得到的由特定晶面引起的衍射峰中的、最大的第一衍射峰与第二大的第二衍射峰之比、即第一衍射峰/第二衍射峰为5.0以上。
11.如权利要求1~9中任一项所述的布线膜,其中,所述布线膜的膜厚为200nm以下,并且所述布线膜的通过X射线衍射得到的由特定晶面引起的衍射峰中的、最大的第一衍射峰与第二大的第二衍射峰之比、即第一衍射峰/第二衍射峰为2.3以上。
12.如权利要求1~11中任一项所述的布线膜,其中,
所述布线膜的通过X射线衍射得到的由特定晶面引起的衍射峰中的、最大的第一衍射峰与第二大的第二衍射峰之比、即第一衍射峰/第二衍射峰,比由通过溅射而在所述基板上成膜的相同膜厚并且与所述初始层为相同组成的单层构成的布线膜的所述第一衍射峰/第二衍射峰大5%以上。
13.如权利要求1~12中任一项所述的布线膜,其中,所述布线膜以Al或Cu作为主要成分。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





