[发明专利]显示面板有效
| 申请号: | 201910290538.3 | 申请日: | 2019-04-11 |
| 公开(公告)号: | CN110112307B | 公开(公告)日: | 2021-08-24 |
| 发明(设计)人: | 江志雄;蒙艳红 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
| 地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示 面板 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
基板;
第一金属层,图案化形成有第一电极;
第二金属层,图案化形成有第二电极,所述第二电极和所述第一电极在所述基板上的投影重合;
栅绝缘层,形成于所述第一金属层和所述第二金属层之间,所述第二电极和所述第一电极在所述基板上的投影的重合区域,对应所述栅绝缘层膜厚正常的中间区域;
绝缘层,形成于所述第二金属层远离所述栅绝缘层的一侧,所述绝缘层形成有过孔,通过所述过孔露出所述第二电极;
测试电路层,与所述第二电极电连接,且连接区域位于所述第二电极在所述基板上的投影区域内;
静电测试电极,包括第一测试电极和第二测试电极,所述第一测试电极与所述第一电极电连接,所述第二测试电极与所述测试电路层电连接,所述静电测试电极在测试所述栅绝缘层的静电击穿特性时,对所述第一电极和所述第二电极通电。
2.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一金属层形成在所述基板上,所述栅绝缘层形成在所述第一金属层远离所述基板的一侧,所述第二金属层形成在所述栅绝缘层远离所述第一金属层的一侧,所述绝缘层形成在所述第二金属层远离所述栅绝缘层的一侧,所述测试电路层形成在所述绝缘层远离所述第二金属层的一侧。
3.如权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板包括低温多晶硅薄膜晶体管,所述第一金属层还图案化形成所述低温多晶硅薄膜晶体管的栅极。
4.如权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板包括氧化物薄膜晶体管,所述第二金属层还图案化形成所述氧化物薄膜晶体管的栅极。
5.如权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述绝缘层为钝化层。
6.如权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述绝缘层为钝化层和层间绝缘层的叠层结构。
7.如权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板为液晶显示面板,所述测试电路层为所述液晶显示面板的像素电极。
8.如权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板为OLED显示面板,所述测试电路层为所述OLED显示面板的公共电极。
9.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述测试电路层形成在所述基板上,所述第二金属层形成在所述测试电路层远离所述基板的一侧,所述栅绝缘层形成在所述第二金属层远离所述测试电路层的一侧,所述第一金属层形成在所述栅绝缘层远离所述第二金属层的一侧,所述绝缘层形成在所述第一金属层远离所述栅绝缘层的一侧。
10.如权利要求9所述的显示面板,其特征在于,所述绝缘层为钝化层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





