[发明专利]高集成度复合类型音频功率放大电路结构

权利要求书

1.一种高集成度复合类型音频放大电路结构，其特征在于，包括：

一电压输入端(Vin)；

一运算放大电路，包括:运算放大器输入级(305)，运算放大器输出级(306)；所述运算放大器输入级(305)的输出端可控制地连接所述运算放大器输出级(306)或连接一AB类偏置电路(310)；

一三角波比较器(308)，对所述运算放大器输出级(306)的信号和一三角波信号进行比较产生脉冲宽度调制信号；

一预驱动电路(309)，连接所述三角波比较器(308)的输出端；

所述AB类偏置电路(310)，可控制地与所述预驱动电路(309)连接或与运算放大器输入级(305)的输出端连接；

一功率级MOSFET(311)，连接所述AB类偏置电路(310)，用于输出并驱动扬声器(313)；

一反馈电容(304)；所述反馈电容的一端连接所述运算放大器输入级(305)的同相输入端；所述反馈电容(304)的另一端,可控制地连接所述三角波比较器(308)的反相输入端或可控制地连接所述功率级MOSFET(311)的输出端。

2.根据权利要求1所述的一种高集成度复合类型音频放大电路结构，其特征在于，所述运算放大器输入级(305)同相输入端通过一输入电阻(302)连接所述电压输入端(Vin)，所述运算放大器输入级(305)反相输入端接地。

3.根据权利要求1所述的一种高集成度复合类型音频放大电路结构，其特征在于，所述运算放大器输出级(306)与一第一补偿网络(307)并联，所述第一补偿网络(307)包括一第一电阻和一第一电容，所述第一电阻和所述第一电容串联。

4.根据权利要求1所述的一种高集成度复合类型音频放大电路结构，其特征在于，所述功率级MOSFET(311)与第二补偿网络(312)并联，所述第二补偿网络(312)包括：一第二电阻和一第二电容，所述第二电阻和所述第二电容串联。

5.根据权利要求1所述的一种高集成度复合类型音频放大电路结构，其特征在于，所述反馈电容(304)并联一反馈电阻(303)，可控制的与所述反馈电容(304)构成高通滤波器或低通滤波器。

6.根据权利要求3所述的一种高集成度复合类型音频放大电路结构，其特征在于，D类放大时，一模式控制信号(320)控制所述运算放大器输入级(305)的输出端连接所述运算放大器输出级(306)、所述反馈电容(304)的另一端连接所述三角波比较器(308)的反相输入端以及所述AB类偏置电路(310)与所述预驱动电路(309)连接；所述运算放大器输入级(305)、所述运算放大器输出级(306)及所述第一补偿网络(307)共同构成D类放大所需的积分器运放。

7.根据权利要求6所述的一种高集成度复合类型音频放大电路结构，其特征在于，AB类放大时，所述模式控制信号(320)控制所述运算放大器输入级(305)的输出端连接所述AB类偏置电路(310)、所述反馈电容(304)的另一端连接所述功率级MOSFET(311)的输出端以及所述AB类偏置电路(310)与运算放大器输入级(305)的输出端连接；所述运算放大器输出级(306)及所述第一补偿网络(307)、所述三角波比较器(308)以及所述预驱动电路(309)被旁路，所述运算放大器输入级(305)、所述AB类偏置电路(310)、所述功率级MOSFET(311)及其补偿网络(312)共同构成了AB类运算放大器。

8.根据权利要求4所述的一种高集成度复合类型音频放大电路结构，其特征在于，所述AB类偏置电路(310)的偏置电压(Vb)连接第一PMOS管(412)栅极，所述第一PMOS管(412)源极接地，所述第一PMOS管(412)漏极通过第三节点(X3)连接第四PMOS管(413)漏极以及第五PMOS管(414)源极，所述第四PMOS管(413)栅极连接VBP输入端，所述第五PMOS管(414)栅极连接VBN输入端。