[发明专利]一种报文处理方法及装置

说明书

本发明揭示了一种报文处理方法及装置，方法包括在目的端口表中增加第一索引指针，在下一跳表中增加第二和第三索引指针，在隧道编辑行为表和/或报文二层编辑行为表中增加第四索引指针，使用第一、第二、第三和第四索引指针分别索引芯片中四块存储器，分别索引得到第一、第二、第三、第四关联数据，在隧道编辑行为表和/或报文二层编辑行为表中配置包括第五关联数据、数据选择信息、编辑位置信息，其中，数据选择信息用于指示如何选择第一～第五关联数据中需要的报文内容，编辑位置信息用于指示如何将从第一～第五关联数据中选取的报文内容编辑到报文中的位置。本发明在不改变传统报文交换处理流水线的情况下，以较低的开销实现较丰富的灵活性。

技术领域

本发明涉及一种报文编辑技术，尤其是涉及一种报文处理方法及装置。

背景技术

高性能以太网交换芯片，一般是专用集成电路方式设计实现的。为了提供高性能的转发能力，每一块内嵌静态随机存取存储器(Embedded Static Random-Access Memory，eSRAM)，一个数据报文处理只能访问一次。因此，流水线(Pipeline)方式的报文处理引擎都使用有限数量的eSRAM来保存控制平面下发的转发、编辑信息。

同时，因为eSRAM的物理特性，在一定范围内，深度越高，存储密度越大。例如，假设1K(1024)深度、50比特宽度的eSRAM在集成电路(Integrated Circuit，IC)上所占的面积为1，那么，同样宽度，2K深度的eSRAM可能面积只是1.5，而4K深度的面积为2.3左右。

因此，报文处理流水线上，一般都是使用少数几次大规格的eSRAM来保存控制平面下发的主要配置信息，再使用少量的eSRAM来保存特别的一些配置信息。

传统的以太网交换芯片在报文出方向处理中，一般使用3～4张大容量的逻辑表，对应存储在3～4块较大深度的eSRAM中，来保存控制平面下发的编辑配置信息。

例如，使用NextHop(下一跳)表来表达报文的出口相关的编辑信息，包括但不限于：VLAN(Virtual Local Area Network，虚拟局域网)的编辑处理、出口Layer3Interface(路由逻辑三层接口)的属性等。同时指出报文可能的隧道编辑行为表的索引innerEditPtr，以及可能的报文二层编辑行为表的索引outerEditPtr。这两个索引指针分别索引Inner Edit表，和Outer Edit表。这两块表也是由深度较大的eSRAM保存的。

典型的，Inner Edit表保存了一个报文要添加的封装格式，如IPv6的源地址、目标地址、流标签(Flow Label)，同时控制是否使用转发平面处理得到的生存时间(TTL)、差分服务代码点(DSCP)，还是使用预配置的TTL、DSCP直接写入待转发报文。

典型的，Outer Edit表保存了逻辑上的地址解析协议信息表(ARP表)，即当报文使用路由转发行为从出口发送的时候，其下一跳(Next Hop)的二层MAC(Media AccessControl)地址(又称Ethernet Address，以太网地址)。

但是，预定义格式的配置表，对应了固定功能(Fixed Function)的ASIC。在当前的应用下，可编程(Programmable ASIC)的需求越来越多，但是传统以太网交换芯片又无法背离使用3～4张大容量的逻辑表这样的结构，否则工程上会变得不可行。因此需要提出一种报文信息处理方案来解决这一问题。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的缺陷，提供一种报文处理方法及装置。

为实现上述目的，本发明提出如下技术方案：一种报文处理方法，所述方法包括：

S1，在目的端口表中增加第一索引指针，在下一跳表中增加第二和第三索引指针，在隧道编辑行为表和/或报文二层编辑行为表中增加第四索引指针；