[发明专利]一种由纳米线转化为量子点的方法及制得的量子点在审
申请号: | 201910289851.5 | 申请日: | 2019-04-11 |
公开(公告)号: | CN109894622A | 公开(公告)日: | 2019-06-18 |
发明(设计)人: | 张勇;徐元清;马艳红 | 申请(专利权)人: | 国家纳米科学中心 |
主分类号: | B22F9/04 | 分类号: | B22F9/04;B22F1/00;C01G21/21;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 巩克栋 |
地址: | 100190 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 量子点 纳米线 粗产物 制备 材料混合 高效环保 粒径均一 溶剂 产率 超声 可控 助磨 转化 应用 | ||
1.一种由纳米线转化为量子点的方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:
(1)将纳米线和助磨材料混合,得到混合粗产物;
(2)将步骤(1)所述混合粗产物分散于溶剂中,超声,得到量子点。
2.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)所述纳米线与助磨材料的质量比为1:1~1:100,优选为1:5~1:30;
优选地,步骤(1)所述助磨材料包括无机物,优选为离子型化合物、氧化物和碳化物中的任意一种或至少两种的组合;
优选地,所述离子型化合物的阳离子包括IA族元素的阳离子、IIA族元素的阳离子和铵根阳离子中的任意一种或至少两种的组合;
优选地,所述离子型化合物的阴离子包括氢氧根离子、氯离子、硝酸根离子、硫酸根离子、硫酸氢根离子、磷酸根离子、磷酸氢根离子、磷酸二氢根离子、碳酸根离子、碳酸氢根离子和柠檬酸根离子中的任意一种或至少两种的组合;
优选地,所述氧化物包括二氧化硅、二氧化钛、二氧化锆、三氧化二铝和氧化锌中的任意一种或至少两种的组合;
优选地,所述碳化物包括碳化硅;
优选地,所述助磨材料为氧化物和/或碳化物,所述助磨材料的粒径为50nm~10000nm,优选为50nm~2000nm。
3.如权利要求1或2所述的方法,其特征在于,步骤(1)所述纳米线和助磨材料的混合方式为球磨混合;
优选地,所述球磨的时间为0.5~120h,优选为1~50h;
优选地,所述球磨球的直径为0.5~20mm;
优选地,所述纳米线和助磨材料的混合方式为球磨混合,混合后还包括将所述球磨球和助磨材料除去的过程;
优选地,所述助磨材料除去的方式为水洗、酸洗和离心中的任意一种或至少两种的组合;
优选地,所述酸洗的洗液包括盐酸、盐酸的水溶液、硫酸、硫酸的水溶液、硝酸和硝酸的水溶液中的任意一种或至少两种的组合;
优选地,所述离心的转速为500~20000r/min,优选为1000~15000r/min;
优选地,所述离心的时间为1~120min,优选为5~60min;
优选地,所述球磨球的材料包括玛瑙、二氧化锆、不锈钢、调制钢、硬质碳化钨、氮化硅和烧结刚玉中的任意一种或至少两种的组合;
优选地,所述纳米线与球磨球的质量比为1:10~1:1000,优选为1:50~1:300。
4.如权利要求1-3之一所述的方法,其特征在于,步骤(1)所述纳米线为金属纳米线、半导体纳米线和聚合物纳米线中的任意一种或至少两种的组合;
优选地,所述金属纳米线包括Au、Ag、Cu、Al、Pt、Pd、Mn、Fe、Co、Ni、Zn、Cd、Ge、Sn、Pb、Sb和Bi中的任意一种或至少两种的组合,优选为Au、Ag、Cu、Pt、Fe、Co和Ni中的任意一种或至少两种的组合;
优选地,所述半导体纳米线包括Si、Ge、GaN、GaAs、GaP、InP、InAs、ZnS、ZnSe、CdS、PbS、CdSe、ZnO、TiO2、MgO、CdO、SiO2和Si3N4中的任意一种或至少两种的组合,优选为Si、Ge、GaN、InP、ZnS、CdS、ZnO、TiO2、CdO、SiO2和Si3N4中的任意一种或至少两种的组合;
优选地,所述聚合物纳米线包括聚苯胺、聚吡咯和聚噻吩中的任意一种或至少两种的组合;
优选地,步骤(1)所述纳米线的直径为10~1000nm,优选为50~500nm;
优选地,步骤(1)所述纳米线的长度为1~100μm,优选为1~10μm。
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