[发明专利]无桥PFC转换器及其控制方法和封装式IC装置有效
申请号: | 201910286366.2 | 申请日: | 2019-04-10 |
公开(公告)号: | CN110365202B | 公开(公告)日: | 2021-07-30 |
发明(设计)人: | 尼基莱什·S·卡马特;阿尔曼多·加布里尔·梅萨;阿贾伊·卡尔蒂克·哈里 | 申请(专利权)人: | 半导体组件工业公司 |
主分类号: | H02M1/42 | 分类号: | H02M1/42 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 章蕾 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | pfc 转换器 及其 控制 方法 封装 ic 装置 | ||
1.一种操作功率转换器的方法,其包括:
通过以下操作在交流电AC源的正半线路周期期间操作所述功率转换器:
使高侧电流变换器的次级绕组短路;
通过快支路低侧电控开关以具有第一极性的第一充电电流对电感进行充电;
使用低侧电流变换器测量所述第一充电电流;且接着
通过快支路高侧电控开关以具有所述第一极性的第一放电电流对所述电感进行放电;
通过以下操作在所述AC源的负半线路周期期间操作所述功率转换器:
使所述低侧电流变换器的次级绕组短路;
通过所述快支路高侧电控开关以具有第二极性的第二充电电流对所述电感进行充电,所述第二极性与所述第一极性相反;
使用所述高侧电流变换器测量所述第二充电电流;且接着
通过所述快支路低侧电控开关以具有所述第二极性的第二放电电流对所述电感进行放电。
2.根据权利要求1所述的方法:
其中使用所述低侧电流变换器测量所述第一充电电流另外包括:
由所述低侧电流变换器的所述次级绕组在低侧感测节点上生成输出电压;
通过低侧整流器在所述低侧感测节点和电流感测节点之间传导电流,其中所述低侧整流器经配置以将电流从所述低侧感测节点传导到所述电流感测节点并阻断相反方向上的电流;以及
其中使用所述高侧电流变换器测量所述第二充电电流另外包括:
由所述高侧电流变换器的所述次级绕组在高侧感测节点上生成输出电压;
通过高侧整流器在所述高侧感测节点和所述电流感测节点之间传导电流,其中所述高侧整流器经配置以将电流从所述高侧感测节点传导到所述电流感测节点并阻断相反方向上的电流。
3.根据权利要求1所述的方法:
其中使用所述低侧电流变换器测量所述第一充电电流另外包括:
由所述低侧电流变换器的所述次级绕组在低侧感测节点上生成输出电压;
通过低侧整流器在所述低侧感测节点和电流感测节点之间传导电流,其中所述低侧整流器经配置以将电流从所述电流感测节点传导到所述低侧感测节点并阻断相反方向上的电流;以及
其中使用所述高侧电流变换器测量所述第二充电电流另外包括:
由所述高侧电流变换器的所述次级绕组在高侧感测节点上生成输出电压;
通过高侧整流器在所述高侧感测节点和所述电流感测节点之间传导电流,其中所述高侧整流器经配置以将电流从所述电流感测节点传导到所述高侧感测节点并阻断相反方向上的电流。
4.一种无桥功率因数校正PFC转换器,其包括:
第一线路输入和第二线路输入;
慢支路高侧场效应晶体管FET,其限定栅极、耦合到所述第一线路输入的源极和耦合到正节点的漏极;
慢支路低侧FET,其限定栅极、耦合到所述第一线路输入的漏极和耦合到负节点的源极;
电感,其限定耦合到所述第二线路输入的第一引线及限定开关节点的第二引线;快支路高侧FET,其限定栅极、耦合到所述开关节点的源极和耦合到所述正节点的漏极;
高侧电流变换器CT,其经配置以感测通过所述快支路高侧FET的电流;
快支路低侧FET,其限定栅极、耦合到所述负节点的源极和耦合到所述开关节点的漏极;
低侧CT,其经配置以感测通过所述快支路低侧FET的电流;
PFC控制器,其经配置以在耦合到所述第一和第二线路输入的交流电AC源的正半线路周期期间操作所述转换器,所述操作通过使所述转换器进行以下操作来进行:
通过所述快支路低侧FET以具有第一极性的第一充电电流对所述电感进行充电;
使用所述低侧CT测量所述第一充电电流,同时使所述高侧CT的次级绕组短路;且接着
通过所述快支路高侧FET以具有所述第一极性的第一放电电流对所述电感进行放电;
所述PFC控制器经配置以在所述AC源的负半线路周期期间通过使所述转换器进行以下操作来操作所述转换器:
通过所述快支路高侧FET以具有第二极性的第二充电电流对所述电感进行充电,所述第二极性与所述第一极性相反;
使用所述高侧CT测量所述第二充电电流,同时使所述低侧CT的次级绕组短路;且接着
通过所述快支路低侧FET以具有所述第二极性的第二放电电流对所述电感进行放电。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于半导体组件工业公司,未经半导体组件工业公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910286366.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置