[发明专利]图像传感器及其形成方法

权利要求书

1.一种图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括多个像素区；

在所述衬底像素区表面形成增透层，所述增透层的折射率小于或等于预设值；

在所述增透层表面形成滤光层。

2.根据权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述预设值小于或等于1.5。

3.根据权利要求1或2所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述预设值为1.38。

4.根据权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述增透层的材料包括：氟化镁、氟化钙或者氟化铁。

5.根据权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述衬底还包括逻辑区，所述逻辑区与像素区相邻且相接触；所述图像传感器的形成方法还包括：形成增透层之前，在所述衬底逻辑区表面形成金属衬垫层。

6.根据权利要求5所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述增透层的形成方法包括：在所述像素区和逻辑区表面形成初始增透层，所述初始增透层还位于金属衬垫层表面；去除所述金属衬垫层表面的初始增透层，形成所述增透层。

7.根据权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，形成增透层之前，还包括：在所述衬底像素区表面形成栅格层，相邻栅格层之间具有第一凹槽，所述第一凹槽底部暴露出部分衬底像素区表面；所述增透层位于栅格层顶部、栅格层侧壁以及第一凹槽底部暴露出的衬底表面。

8.根据权利要求7所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，形成栅格层后，形成增透层前，还包括：在所述栅格层表面形成钝化层，所述钝化层还位于第一凹槽底部暴露出的衬底表面，所述增透层位于钝化层表面。

9.根据权利要求8所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，形成钝化层后，形成增透层前，还包括：在所述钝化层表面形成抗反射涂层，所述抗反射涂层的折射率大于增透层的折射率，所述增透层位于抗反射层表面。

10.根据权利要求8所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述钝化层包括单层结构或者多层结构；当所述钝化层为多层结构时，所述钝化层包括沿垂直于衬底表面方向层叠的多层钝化材料层，相邻两层钝化材料层的材料不同。

11.根据权利要求8所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述增透层包括单层结构或者多层结构；当所述增透层为多层结构时，所述增透层包括沿垂直于衬底表面方向层叠的多层增透材料层，相邻两层增透材料层的材料不同，且从衬底表面至所述增透层顶部表面，所述多层增透材料层的折射率逐层递减。

12.根据权利要求8所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述钝化层的材料包括有机材料或无机材料；所述无机材料包括氮化硅、氧化硅或氮氧化硅；所述有机材料包括聚酰亚胺。

13.根据权利要求11所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，抗反射涂层的折射率大于增透层的最大折射率。

14.根据权利要求6所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，当所述增透层的材料为氟化镁时，所述初始增透层的形成方法包括：溅射工艺或者激光脉冲沉积工艺。

15.根据权利要求14所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，形成所述初始增透层后，还包括：对所述初始增透层进行退火处理；所述退火处理的温度是350摄氏度～450摄氏度。

16.根据权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述增透层的厚度范围为100nm～1000nm。