[发明专利]像素

权利要求书

1.一种像素，包括：

发光元件；

第一晶体管，连接在第一节点和所述发光元件之间，所述第一晶体管被配置为控制从所述第一节点的第一电源经由所述发光元件流到第二电源的电流的量；

第二晶体管，连接在数据线和所述第一晶体管之间，所述第二晶体管被配置为由第i第一扫描信号导通，其中i是2或更大的自然数；

第三晶体管，连接在所述第一晶体管和所述第一节点之间，所述第三晶体管被配置为由所述第i第一扫描信号导通并且包括P型薄膜晶体管；

第四晶体管，连接在所述第一节点和初始化电源被供给至的初始化电源线之间，所述第四晶体管被配置为由第i-1扫描信号导通并且包括N型薄膜晶体管；以及

连接在所述第三晶体管和所述第四晶体管之间的第一连接线，所述第一连接线被配置为电连接所述第三晶体管的半导体图案和所述第四晶体管的半导体图案，

其中，所述第一连接线被设置在所述第三晶体管和所述第四晶体管上，绝缘层介于所述第三晶体管和所述第四晶体管与所述第一连接线之间，并且所述第一连接线通过穿过所述绝缘层的第一接触孔接触所述第三晶体管和所述第四晶体管中的每一个的半导体图案。

2.根据权利要求1所述的像素，其中：

所述第三晶体管的所述半导体图案掺杂有p型杂质；并且

所述第四晶体管的所述半导体图案掺杂有n型杂质。

3.根据权利要求2所述的像素，其中，所述第三晶体管的所述半导体图案和所述第四晶体管的所述半导体图案被设置在基板上的同一层上并且彼此邻近。

4.根据权利要求3所述的像素，其中：

所述基板包括其中所述第三晶体管的所述半导体图案和所述第四晶体管的所述半导体图案彼此重叠的重叠区域；并且

所述第一连接线接触所述第三晶体管的所述半导体图案、所述第四晶体管的所述半导体图案和所述重叠区域。

5.根据权利要求3所述的像素，其中：

所述基板包括未掺杂p型杂质和n型杂质的未掺杂区域，所述未掺杂区域被设置在所述第三晶体管的所述半导体图案和所述第四晶体管的所述半导体图案之间；并且

所述第一连接线与所述第三晶体管的所述半导体图案和所述第四晶体管的所述半导体图案中的每一个接触，其中所述未掺杂区域介于所述第三晶体管的所述半导体图案和所述第四晶体管的所述半导体图案与所述第一连接线之间。

6.根据权利要求3所述的像素，进一步包括连接在所述初始化电源线和所述发光元件的阳极之间的第五晶体管，所述第五晶体管被配置为由第i第二扫描信号导通并且包括N型薄膜晶体管。

7.根据权利要求6所述的像素，其中，所述第i第一扫描信号和所述第i第二扫描信号具有彼此不同的电平，并且同时被供给至对应的晶体管以激活所述对应的晶体管。

8.根据权利要求6所述的像素，进一步包括：

第六晶体管，连接在所述第一晶体管的第二电极和所述发光元件的所述阳极之间，所述第六晶体管被配置为当发射控制信号被供给至发射控制线时截止；以及

第七晶体管，连接在所述第一节点和所述第一电源之间，并且被配置为在供给所述发射控制信号时截止，

其中所述第六晶体管和所述第七晶体管包括P型薄膜晶体管。

9.根据权利要求8所述的像素，进一步包括：

第二连接线，连接在所述第五晶体管和所述第六晶体管之间，并且被配置为电连接所述第五晶体管的半导体图案和所述第六晶体管的半导体图案，

其中，所述第二连接线设置在所述第五晶体管和所述第六晶体管上，所述绝缘层介于所述第五晶体管和所述第六晶体管与所述第二连接线之间，并且所述第二连接线通过穿过所述绝缘层的第二接触孔与所述第五晶体管和所述第六晶体管中的每一个的所述半导体图案接触。

10.根据权利要求9所述的像素，其中：

所述第五晶体管的所述半导体图案掺杂有n型杂质；并且

所述第六晶体管的所述半导体图案掺杂有p型杂质。