[发明专利]一种聚四氢呋喃交联有机硅杂化膜及其制备方法在审
| 申请号： | 201910283301.2 | 申请日： | 2019-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN109966938A | 公开（公告）日： | 2019-07-05 |
| 发明（设计）人： | 朱韵;顾衡 | 申请（专利权）人： | 重庆工程职业技术学院 |
| 主分类号： | B01D71/70 | 分类号： | B01D71/70;B01D69/10;B01D69/02;B01D67/00;B01D61/02 |
| 代理公司： | 重庆信航知识产权代理有限公司 50218 | 代理人： | 孙章虎 |
| 地址： | 402260 重*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 聚四氢呋喃 截留率 交联有机硅 分离层 盐离子 杂化膜 支撑体 致密 三乙氧基硅基 陶瓷支撑体 交联共聚 网络结构 过渡层 渗透率 水渗透 甲烷 富含 羟基 制备 网络 | ||
1.一种聚四氢呋喃交联有机硅杂化膜，由支撑体、过渡层和分离层组成，其特征在于：所述支撑体为α-Al2O3陶瓷支撑体，所述分离层为BTESM/PTMEG溶胶，所述BTESM/PTMEG溶胶由双(三乙氧基硅基)甲烷和聚四氢呋喃反应制得。
2.根据权利要求1所述的一种聚四氢呋喃交联有机硅杂化膜，其特征在于：所述BTESM/PTMEG溶胶中聚四氢呋喃和双(三乙氧基硅基)甲烷的质量比为30：100。
3.根据权利要求1所述的一种聚四氢呋喃交联有机硅杂化膜，其特征在于：所述过渡层为SiO2–ZrO2溶胶。
4.根据权利要求1～3任一所述的一种聚四氢呋喃交联有机硅杂化膜的制备方法，其特征在于，步骤如下：
1)将双(三乙氧基硅基)甲烷充分溶解到乙醇中，依次加入水、聚四氢呋喃、浓盐酸后进行反应，得到BTESM/PTMEG溶胶；
2)将SiO2–ZrO2溶胶涂覆在预热后的α-Al2O3陶瓷支撑体上，煅烧后形成过渡层；
3)将BTESM/PTMEG溶胶涂在步骤2)所述过渡层上，煅烧后得到杂化膜。
5.根据权利要求4所述的一种聚四氢呋喃交联有机硅杂化膜的制备方法，其特征在于：所述步骤1)中，双(三乙氧基硅基)甲烷和乙醇的质量比为5:95，所述双(三乙氧基硅基)甲烷、水和浓盐酸的摩尔比为1:50:0.3。
6.根据权利要求4所述的一种聚四氢呋喃交联有机硅杂化膜的制备方法，其特征在于：所述步骤1)中反应温度为30℃～50℃，反应时间为2～4h。
7.根据权利要求4所述的一种聚四氢呋喃交联有机硅杂化膜的制备方法，其特征在于：所述步骤2)中，所述SiO2–ZrO2溶胶由正硅酸乙酯和正丁醇锆的水解聚合制备得到。
8.根据权利要求4所述的一种聚四氢呋喃交联有机硅杂化膜的制备方法，其特征在于：所述步骤2)中α-Al2O3陶瓷支撑体的预热温度为200℃～400℃，预热时间为20min～30min，煅烧温度为550℃～600℃，煅烧时间为15min～20min。
9.根据权利要求4所述的一种聚四氢呋喃交联有机硅杂化膜的制备方法，其特征在于：所述步骤3)中，煅烧环境为惰性气体保护，煅烧温度为250℃～300℃，煅烧时间为20～30min。
10.根据权利要求4所述的一种聚四氢呋喃交联有机硅杂化膜的制备方法，其特征在于：所述步骤2)中，SiO2–ZrO2溶胶的质量分数为3wt％，所述步骤3)中，BTESM/PTMEG溶胶的质量分数为0.6wt％。
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