[发明专利]Micro LED器件及显示面板

说明书

本发明提供一种Micro LED器件及显示面板。该Micro LED器件包括：N型层，所述N型层设置在沉积有缓冲层的衬底表面，所述N型层表面覆盖有有源层；P型层，所述P型层表面设置有透明导电层，所述P型层覆盖所述有源层；所述透明导电层的每条边与所述P型层对应的边界之间设置有预设距离，以增大所述Micro LED器件中的电流密度。本发明的Micro LED器件及显示面板将电流集中在器件的中心区域，增大了电流密度，并能够减少Micro LED器件在边缘区域的漏电流、非辐射复合现象，从而提高了Micro LED器件及显示面板的发光效率。

技术领域

本发明涉及光电子技术领域，尤其涉及一种Micro LED器件及显示面板。

背景技术

微发光二极体显示器(Micro LED Display)为新一代的显示技术，Micro LED继承了LED的特性，具有尺寸小、重量轻、亮度高、寿命长、功耗低、响应时间快及可控性强的优点，且Micro LED的色域能大于120％，PPI(像素密度)能达到1500。

通常Micro LED器件的尺寸会小于50μm，此时在侧边易产生漏电流，侧边悬空键会导致非辐射复合，电流拥堵效应和热效应变弱，会严重影响Micro LED器件的发光效率。

因此，需要提供一种新的Micro LED器件，以解决上述问题。

发明内容

本发明提供一种Micro LED器件，通过对透明导电层的设计，避免电流经过接近侧壁的区域，以解决现有的Micro LED器件因尺寸小而在侧边发生漏电流、非辐射复合等问题，进而影响显示的技术问题。

为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：

本发明提供一种Micro LED器件，包括：

N型层，所述N型层设置在沉积有缓冲层的衬底表面，所述N型层表面覆盖有有源层；

P型层，所述P型层表面设置有透明导电层，所述P型层覆盖所述有源层；

所述透明导电层的每条边与所述P型层对应的边界之间设置有预设距离，以增大所述Micro LED器件中的电流密度。

根据本发明一优选实施例，所述预设距离大于2-5μm，以增大所述Micro LED器件中的电流密度。

根据本发明一优选实施例，所述透明导电层的每条边与所述P型层的边界之间的预设距离相同，所述透明导电层的中心点与所述P型层的中心点相互重合。

根据本发明一优选实施例，所述透明导电层的每条边与所述P型层的边界之间的预设距离不尽相同，所述透明导电层的中心点偏离所述P型层的中心点。

根据本发明一优选实施例，所述P型层分为五个区域，所述五个区域互相不重合，所述P型层的中心点至所述P型层的每个顶点之间按照距离等分有四个等分点，包括多个第一等分点，多个第二等分点，多个第三等分点以及多个第四等分点；

其中，所述第一等分点邻近所述P型层的中心点，所述第四等分点邻近所述P型层对应的顶点；

所述第一等分点连接形成第一区域，所述第二等分点连接形成第二区域，所述第三等分点连接形成第三区域；

所述透明导电层至少覆盖所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域。

根据本发明一优选实施例，所述Micro LED器件还包括有金属电极；

其中，所述透明导电层连接有第一金属电极，所述第一金属电极还连接有驱动电路。

根据本发明一优选实施例，所述Micro LED器件采用水平结构，所述N型层的面积大于所述P型层的面积，所述N型层远离所述透明导电层的一侧连接有第二金属电极。