[发明专利]有机发光二极管显示装置在审
申请号: | 201910281852.5 | 申请日: | 2019-04-09 |
公开(公告)号: | CN110364553A | 公开(公告)日: | 2019-10-22 |
发明(设计)人: | 罗志洙;李承珪;金光民 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京钲霖知识产权代理有限公司 11722 | 代理人: | 李强;王淑玲 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 源图案 基板 发光区域 显示区域 栅极布线 突出部 发光结构 外围区域 有机发光二极管显示装置 邻近 有机发光二极管 图案 焊盘区域 显示装置 布线 | ||
一种有机发光二极管(“OLED”)显示装置,包括:基板,所述基板具有:具备发光区域和围绕所述发光区域的外围区域的显示区域、在所述显示区域的第一侧的焊盘区域和在所述显示区域的第二侧的沟槽;多个发光结构,所述多个发光结构在所述基板的所述发光区域上;有源图案,所述有源图案沿着所述沟槽的轮廓在所述基板的所述外围区域上,所述有源图案与所述沟槽邻近并且包括图案突出部;和上部栅极布线,所述上部栅极布线在所述有源图案上并且与所述有源图案重叠,所述上部栅极布线具有与所述图案突出部邻近的布线突出部。
技术领域
示例实施例一般性地涉及有机发光显示装置。更具体地,示例实施例涉及包括沟槽的有机发光显示装置。
背景技术
由于平板显示(“FPD”)装置相比于阴极射线管(“CRT”)显示装置重量轻且薄,因此FPD装置广泛地用作电子装置的显示装置。FPD装置的典型示例是液晶显示(“LCD”)装置和有机发光二极管(“OLED”)显示装置。
近来,已经开发了OLED显示装置,其中在OLED显示装置中包括的基板的一部分中形成有沟槽(或凹槽)。例如,OLED显示装置可包括能够发光的多个发光结构,并且发光结构可设置在具有第一宽度的第一发光区域和具有小于第一宽度的第二宽度的第二发光区域两者中。第二发光区域可沿着沟槽的两个侧部定位。
发明内容
本公开在于提供一种有机发光显示装置,其能防止或基本最小化负载电容的差并且改善有机发光显示装置的可见度。
根据一些示例实施例,OLED显示装置可包括基板、多个发光结构、有源图案和上部栅极布线。所述基板具有包括发光区域和围绕所述发光区域的外围区域的显示区域以及位于所述显示区域的第一侧部中的焊盘区域,并且具有位于所述显示区域的第二侧部中的沟槽。所述发光结构设置在所述基板上的所述发光区域中。所述有源图案沿着所述沟槽的轮廓设置在所述基板上的位于与所述沟槽邻近处的所述外围区域中,并且具有图案突出部。所述上部栅极布线设置在所述有源图案上且与所述有源图案重叠,并且具有位于与所述图案突出部邻近的布线突出部。
在示例实施例中,所述OLED显示装置还可包括连接图案,所述连接图案设置在所述图案突出部和所述布线突出部上并且与所述图案突出部和所述布线突出部重叠。所述连接图案可通过接触孔电连接所述图案突出部和所述布线突出部,并且所述连接图案与所述有源图案和与所述有源图案重叠的所述上部栅极布线一起可限定为堆叠结构。
在示例实施例中,所述基板的所述发光区域可包括:位于与所述焊盘区域邻近的第一发光区域以及位于所述沟槽的两个侧部中的第二发光区域和第三发光区域。
在示例实施例中,所述第一发光区域可具有第一宽度,并且所述第二发光区域和所述第三发光区域中的每个可具有小于所述第一宽度的第二宽度。
在示例实施例中,所述基板的所述外围区域可包括:位于与所述第一发光区域邻近处的第一外围区域、位于分别与所述第二发光区域和所述第三发光区域邻近处的第二外围区域和第三外围区域以及位于与所述沟槽邻近处的第四外围区域。
在示例实施例中,所述第四外围区域的一部分可位于与所述第一发光区域邻近处,并且所述第四外围区域的剩余部分可位于与所述第二发光区域和所述第三发光区域邻近。
在示例实施例中,所述OLED显示装置还可包括设置在所述第一发光区域中的下部栅极布线。所述下部栅极布线可具有直线的形状。所述上部栅极布线可设置在所述第二发光区域和所述第三发光区域以及所述第四外围区域中,并且所述上部栅极布线的总距离可大于所述下部栅极布线的总距离。
在示例实施例中,在所述OLED显示装置的平面图中所述沟槽的形状可具有半圆形的平面形状。
在示例实施例中,所述有源图案在所述第四外围区域中可具有曲线的形状。所述上部栅极布线在所述第二发光区域和所述第三发光区域中可具有直线的形状,并且在所述第四外围区域中可具有曲线的形状。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的