[发明专利]基于可控硅和LC谐振的强磁脉冲输出装置

说明书

本发明提供了一种基于可控硅和LC谐振的强磁脉冲输出装置，包括放电电容、载流磁场输出线圈、整流二极管、可控硅、控制电路及保护电路，所述放电电容、所述载流磁场输出线圈、所述整流二极管及所述可控硅形成电流通路，所述放电电容与外界电源连接，用于为所述载流磁场输出线圈提供电源，所述载流磁场输出线圈用于产生磁场，所述控制电路设置于所述可控硅上，用于调控所述基于可控硅和LC谐振的强磁脉冲输出装置的输出频率，所述控制电路包括与所述可控硅连接的高频扼流圈和设置于电路板上的控制芯片，所述控制芯片用于控制所述电流通路的导通和关闭。本发明提供的基于可控硅和LC谐振的强磁脉冲输出装置可以实现发生磁场的动态调节。

技术领域

本发明涉及医疗器械领域，尤其涉及一种基于可控硅和LC谐振的强磁脉冲输出装置。

背景技术

当今社会，磁康复治疗设备逐渐被应用在修复大脑高级功能领域，根据法拉第电磁感应定律，细胞中电解质相当于微弱的导体，在动态变化的磁场中会产生电动势从而形成生物电，干预大脑中枢神经或外周围神经来达到治疗语言、记忆、注意、视觉等大脑认知功能障碍疾病的目的。如何调制动态变化的磁场治疗神经疾病值得深入的研究。

相关技术中，磁刺激器包括刺激线圈和控制电路，由于控制电路输出电压的一致性，使得所述刺激线圈产生的磁场的仅限于固有的恒定磁场，而对于动态磁场的调制治疗研究缺乏大量的试验和数据。

因此，有必要提供一种基于可控硅和LC谐振的强磁脉冲输出装置来解决上述问题。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种调控方便，结构简单、并且可动态调节磁场的基于可控硅和LC谐振的强磁脉冲输出装置。

为解决上述技术问题，本发明提供了一种基于可控硅和LC谐振的强磁脉冲输出装置，包括放电电容、载流磁场输出线圈、整流二极管、可控硅、控制电路及保护电路，所述放电电容、所述载流磁场输出线圈、所述整流二极管及所述可控硅形成电流通路，所述放电电容与外界电源连接，用于为所述载流磁场输出线圈提供电源，所述载流磁场输出线圈用于产生磁场，所述控制电路设置于所述可控硅上，用于调控所述基于可控硅和LC谐振的强磁脉冲输出装置的输出频率，所述控制电路包括与所述可控硅连接的的高频扼流圈和设置于电路板上的控制芯片，所述控制芯片用于控制所述电流通路的导通和关闭。

优选的，所述保护电路设有吸收电阻和吸收电容，所述吸收电阻和所述吸收电容串联设置。

优选的，所述吸收电容为无感吸收电容，容值为0.1uF~1uF，耐压值为700~5000V，所述吸收电阻阻值为1~8Ω，功率为50~200W。

优选的，所述可控硅的导通电流为100A~3000A，耐压值为700~5000V。

优选的，所述整流二极管的导通电流为100A~3000A ，电容耐压值为700~5000V。

优选的，所述放电电容为无极性薄膜电容或超级电容，由一个或多个电容并接而成，所述放电电容的总电容值为35uF~210uF，耐压值为700~5000V。

优选的，所述载流磁场输出线圈采用导电线的材料绕制而成，其绕制形状选自8字形、O形、环形或弹簧形。

优选的，所述导电线的材料选自铜、铝、银、金或合金。

优选的，所述控制芯片选自CPLD，STM32，NXP或AT系列单片机。

与相关技术相比，本发明的基于可控硅和LC谐振的强磁脉冲输出装置通过所述放电电容和所述载流磁场输出线圈的配合，形成了振荡器，通过配置所述放电电容容值、所述载流磁场输出线圈感值，且通过所述控制电路控制所述电流通路的开启和关闭，实现了所述载流磁场输出线圈输出磁场的动态调节；并且通过所述保护电路的配置可以避免过压，延长所述可控硅的使用寿命。

附图说明