[发明专利]高频板制造方法

权利要求书

1.一种高频板制造方法，用于制作高频板，其中，所述高频板包括层叠设置的PTFE子板和FR4母板，其特征在于，包括以下步骤：

料材预备，预备FR4母板、PTFE基板和保护膜，所述PTFE基板具有分别上下设置的上基面和下基面；

子板预备，先对所述PTFE基板依次进行基板前处理，再对所述下基面进行冲孔操作和棕化处理，从而将所述PTFE基板制成PTFE子板，其中，在所述PTFE基板依次进行基板前处理之后，且在对所述下基面进行冲孔操作和棕化处理之前，将所述保护膜可撕离地贴合至所述上基面；

压合连接，一并压合所述保护膜、所述PTFE子板和所述FR4母板，以使所述PTFE子板和所述FR4母板压接，其中，所述保护膜、所述PTFE子板和所述FR4母板从上往下依次层叠设置；

撕膜成型，将所述保护膜从所述PTFE子板上撕离；

其中，在所述压合连接步骤之前，且在所述料材预备步骤之后，还包括：

压力平衡预备，在所述FR4母板的下侧板面上贴合平衡膜；

在所述压合连接步骤之前，且在所述子板预备步骤和所述压力平衡预备步骤之后，还包括：

阻胶预备，在所述PTFE子板的上侧板面上贴合上离型膜，并在所述FR4母板的下侧板面上贴合下离型膜；

其中，在所述压合连接步骤中，一并压合所述上离型膜、所述保护膜、所述PTFE子板、所述FR4母板、所述平衡膜和所述下离型膜，以使所述PTFE子板和所述FR4母板压接，其中，所述上离型膜、所述保护膜、所述PTFE子板、所述FR4母板、所述平衡膜和所述下离型膜从上往下依次层叠设置；而在所述撕膜成型步骤中，将所述上离型膜和所述保护膜从所述PTFE子板上撕离，并将所述平衡膜和所述下离型膜从所述FR4母板上撕离。

2.如权利要求1所述的高频板制造方法，其特征在于，所述子板预备步骤与所述压力平衡预备步骤同步进行。

3.如权利要求1所述的高频板制造方法，其特征在于，在将所述保护膜可撕离地贴合至所述上基面之前，所述子板预备步骤还包括先用硫酸加双氧水微蚀所述上基面。

4.如权利要求1所述的高频板制造方法，其特征在于，在将所述保护膜可撕离地贴合至所述上基面之后，且在对所述下基面进行冲孔操作和棕化处理之前，所述子板预备步骤还包括对所述PTFE基板和所述保护膜进行压合处理。

5.如权利要求4所述的高频板制造方法，其特征在于，在将所述保护膜可撕离地贴合至所述上基面的工序之后，且在对所述PTFE基板和所述保护膜进行压合处理之前，所述子板预备步骤还包括将所述保护膜切割为内膜和连接于所述内膜周沿并呈环形设置的外模，并将所述外模从所述PTFE基板上撕离。

6.如权利要求1所述的高频板制造方法，其特征在于，所述保护膜通过热压可撕离地贴合至所述上基面上。

7.如权利要求6所述的高频板制造方法，其特征在于，对所述保护膜进行热压的温度为100℃±10℃，热压的压力值为90PSI。

8.如权利要求1-7中任一项所述的高频板制造方法，其特征在于，在对所述PTFE基板依次进行基板前处理之前，所述子板预备步骤还包括通过隧道炉对所述PTFE基板进行去应力处理。