[发明专利]阵列基板、其制作方法、显示面板及显示装置

说明书

本发明公开了一种阵列基板、其制作方法、显示面板及显示装置，该阵列基板包括衬底基板，衬底基板具有显示区域和包围显示区域的非显示区域；非显示区域包括位于衬底基板上的栅极驱动电路和用于向栅极驱动电路提供信号的信号线，以及包括位于栅极驱动电路和信号线所在膜层上方的屏蔽层；其中，屏蔽层在衬底基板上的正投影至少覆盖信号线在衬底基板上的正投影。本发明通过在栅极驱动电路和信号线所在膜层上方设置正投影至少覆盖信号线的屏蔽层，这样当触控面板采用本发明实施例提供的阵列基板时，由于屏蔽层可以屏蔽用于向栅极驱动电路提供信号的信号线上的高电平信号，因此可以减少信号线上的高电平信号对触控面板中触控信号的干扰，提高触控效果。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、其制作方法、显示面板及显示装置。

背景技术

随着显示技术的飞速发展，显示器呈现出了高集成度和低成本的发展趋势。其中，栅极驱动(Gate Driver on Array，GOA，阵列基板行驱动)技术将TFT(Thin FilmTransistor，薄膜晶体管)栅极开关电路集成在显示面板的阵列基板上以形成对显示面板的扫描驱动，从而可以省去栅极集成电路(IC，Integrated Circuit)的绑定(Bonding)区域以及扇出(Fan-out)区域的布线空间，不仅可以在材料成本和制作工艺两方面降低产品成本，而且可以使显示面板做到两边对称和窄边框的美观设计；并且，这种集成工艺还可以省去栅极扫描线方向的Bonding工艺，从而提高了产能和良率。

但是，目前的触控式电容屏的Touch Sensor层采用自容或者互容的方式，在彩膜基板表面通过一层ITO来形成，而在传统的GOA设计中，高电平信号普遍存在，且不可避免，如一般的GOA设计中，时钟信号(CLK信号＝22V左右)，高电平VGHVDD等信号均为22V左右，这些GOA信号的正上方就是Touch Sensor层，GOA高电平信号会严重干扰Touch效果，导致左右Touch Sensor触控效果比较差，严重的会无触控效果。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供一种阵列基板、其制作方法及显示装置，用以解决GOA区域的高电平信号干扰触控信号的问题。

因此，本发明实施例提供了一种阵列基板，包括衬底基板，所述衬底基板具有显示区域和包围所述显示区域的非显示区域；所述非显示区域包括位于所述衬底基板上的栅极驱动电路和用于向所述栅极驱动电路提供信号的信号线，以及包括位于所述栅极驱动电路和所述信号线所在膜层上方的屏蔽层；其中，所述屏蔽层在所述衬底基板上的正投影至少覆盖所述信号线在所述衬底基板上的正投影。

可选地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述屏蔽层在所述衬底基板上的正投影还覆盖所述栅极驱动电路在所述衬底基板上的正投影。

可选地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述显示区域包括：位于所述衬底基板上的源漏电极层、像素电极层和公共电极层；所述源漏电极层位于所述像素电极层背离所述衬底基板一侧，所述公共电极层位于所述源漏电极层背离所述衬底基板一侧；其中，至少部分所述信号线与所述源漏电极层同层设置，所述屏蔽层与所述公共电极层同层设置。

可选地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述显示区域包括：位于所述衬底基板上的源漏电极层、像素电极层和公共电极层；所述源漏电极层位于所述像素电极层与所述衬底基板之间，所述公共电极层位于所述像素电极层背离所述衬底基板一侧；其中，至少部分所述信号线与所述源漏电极层同层设置，所述屏蔽层与所述像素电极层同层设置，或所述屏蔽层与所述公共电极层同层设置。

可选地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述信号线包括异层设置、且相互电连接的第一信号线和第二信号线。

可选地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述第一信号线和所述第二信号线通过贯穿所述第一信号线与所述第二信号线之间绝缘层的过孔电连接。