[发明专利]倒角的替代栅极结构在审
| 申请号： | 201910274505.X | 申请日： | 2019-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN110459603A | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | 王海艇;路荣涛;张志强;许国伟;臧辉;S·贝瑟尔;谢瑞龙 | 申请（专利权）人： | 格芯公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/49;H01L21/28 |
| 代理公司： | 11247 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;杨晓光<国际申请>=<国际公布>= |
| 地址： | 开曼群岛*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功函数 沟槽结构 凹陷 栅极电介质材料 栅极金属 栅极结构 倒角 半导体结构 帽盖材料 平坦表面 顶表面 替换 替代 制造 | ||
1.一种结构，包括：
位于沟槽结构中的凹陷的栅极电介质材料；
位于所述凹陷的栅极电介质材料上、位于所述沟槽结构内的多个凹陷的功函数材料；
位于所述沟槽结构内并且位于所述凹陷的栅极电介质材料和所述多个凹陷的功函数材料上方的多个附加功函数材料；
位于所述沟槽结构内并且位于所述多个附加功函数材料之上的栅极金属，所述栅极金属和所述多个附加功函数材料具有位于所述沟槽结构的顶表面下方的平坦表面；以及
位于所述栅极金属和所述多个附加功函数材料之上的帽盖材料。
2.根据权利要求1所述的结构，还包括位于所述多个附加功函数材料与所述多个凹陷的功函数材料之间的金属材料。
3.根据权利要求2所述的结构，其中所述多个附加功函数材料的顶层是TiN。
4.根据权利要求2所述的结构，其中所述金属材料和所述凹陷的栅极电介质材料沿着所述沟槽结构的侧壁具有相同的高度。
5.根据权利要求4所述的结构，其中所述金属材料包括在所述多个凹陷的功函数材料内过渡的阶梯特征。
6.根据权利要求5所述的结构，其中所述多个附加功函数材料包括双阶梯特征。
7.根据权利要求5所述的结构，其中所述多个附加功函数材料具有下层，所述下层与所述凹陷的栅极电介质材料和沿着所述沟槽结构的所述侧壁的侧壁材料直接接触。
8.根据权利要求7所述的结构，其中所述凹陷的栅极电介质材料在所述多个附加功函数材料下方直接接触所述侧壁材料。
9.根据权利要求7所述的结构，其中所述侧壁材料是SiN。
10.根据权利要求1所述的结构，其中所述多个附加功函数材料包括三层材料。
11.根据权利要求1所述的结构，其中所述栅极金属是钨。
12.一种结构，包括：
沟槽结构；
加衬所述沟槽结构的侧壁的侧壁材料；
位于所述侧壁材料表面上的电介质材料，所述电介质材料具有低于所述沟槽结构的顶表面的高度；
多个凹陷的功函数栅极材料，其设置在所述电介质材料之上并且具有低于所述沟槽结构的所述顶表面的高度；
位于所述多个凹陷的功函数栅极材料之上的功函数栅极材料，其中所述功函数栅极材料的底部接触所述电介质材料上方的所述侧壁材料；以及
形成在所述沟槽结构的剩余部分内和所述功函数栅极材料的顶部上的栅极金属。
13.根据权利要求12所述的结构，其中所述多个凹陷的功函数栅极金属具有低于所述电介质材料的高度。
14.根据权利要求12所述的结构，还包括位于所述多个凹陷的功函数栅极材料上的底部材料簇。
15.根据权利要求14所述的结构，其中所述底部材料簇接触所述电介质材料。
16.根据权利要求15所述的结构，其中所述底部材料簇的高度等于所述沟槽内的所述电介质材料的高度。
17.根据权利要求15所述的结构，其中所述底部材料簇包括TiN。
18.根据权利要求16所述的结构，其中形成的所述栅极金属和所述功函数栅极材料中的每个层被凹陷到所述沟槽结构的所述顶表面下方，并且在形成的所述栅极金属和所述功函数栅极材料中的每个层上设置帽盖层。
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