[发明专利]基于聚酰亚胺涂覆半导体纳米线基片的电子传感器

权利要求书

1.基于聚酰亚胺涂覆半导体纳米线基片的电子传感器，其特征在于：包括：云母片基底层、CdSSe纳米线沉积层、电极层和聚酰亚胺层；

将所述CdSSe纳米线层沉积在云母片基底层上；通过热蒸发或电子束蒸发方式将电极层蒸镀在CdSSe纳米线沉积层表面；然后在电极层上面均匀涂覆聚酰亚胺溶液，静置固化后形成聚酰亚胺薄膜层，即得到电子传感器；所述电子传感器能够用于湿度测量、盐分测量。

2.如权利要求1所述的基于聚酰亚胺涂覆半导体纳米线基片的电子传感器，其特征在于：采用所述电子传感器测量相应湿度的方法为：根据所测器件电阻，能够计算出相应湿度的大小：

公式为：RH＝-1.96x10^-4R+154.10；

上式中，RH表示所测相对湿度的大小，单位为％RH；R表示所测器件电阻的大小，单位为欧姆(Ω)。

3.如权利要求1所述的基于聚酰亚胺涂覆半导体纳米线基片的电子传感器，其特征在于：采用所述电子传感器测量相应盐分的方法为：根据所测器件电流，能够计算出相应盐分的含量：

公式为：S＝-1.97x10⁷I+388.56；

上式中，S表示所测盐分含量的多少，单位为微克(μg)；I表示所测器件电流的大小，单位为安培(A)。

4.如权利要求1所述的基于聚酰亚胺涂覆半导体纳米线基片的电子传感器，其特征在于：可以对运动人体的出汗情况进行实时检测，从而预测人体的健康状况。

5.制备如权利要求1或2或3或4所述的电子传感器的方法，其特征在于：具体实现步骤如下：

步骤一：采用化学气相沉淀法(CVD)将CdSSe纳米线沉积到云母片基底层上；

步骤二：通过热蒸发或电子束蒸发镀膜技术，利用掩膜版在步骤一得到的CdSSe纳米线沉积层上制作金属铝叉指电极；

步骤三：用银胶作为粘合剂，将细铜丝粘在步骤二所得叉指电极两侧引出外接电极，银胶固化后得到电极A；

步骤四：利用转速可控及时间可调的匀胶机，在步骤三所得电极A表面上均匀旋涂聚酰亚胺溶液，形成覆盖整个表面的聚酰亚胺薄膜，固化后得到电子传感器。

6.如权利要求5所述方法，其特征在于：所述的柔性云母衬底上通过化学气相沉淀法得到CdSSe三元合金纳米结构；其中所用云母片衬底尺寸为1厘米*2厘米，在放入管式炉之前需利用离子溅射镀膜仪镀金，在衬底表面形成厚度约为200-500纳米的金薄膜层。

7.如权利要求5所述方法，其特征在于：所述的电极形状为叉指结构，具体的电极结构要求为：叉指电极覆盖整个基片，电极宽度为0.5毫米，电极间距为0.5毫米，厚度约为500-800纳米。

8.如权利要求5所述方法，其特征在于：所述的聚酰亚胺薄膜的制作过程中，聚酰亚胺溶液浓度为15％；匀胶机的参数设置如下：首先，设置转速为500转/分钟，旋涂时间为5秒；接着，设置转速为3000转/分钟，旋涂时间为20秒；聚酰亚胺薄膜层厚度约为50-60微米。