[发明专利]一种磁性纳米颗粒复合膜及其制备方法

权利要求书

1.一种磁性纳米颗粒复合膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：以预处理的石英片或单晶硅片为基片；以磁性颗粒和SiO颗粒为原料沉积复合膜，所述磁性颗粒和SiO颗粒直径为1～3mm、纯度≥99.99％，所述磁性颗粒为Fe₂₀Ni₈₀颗粒；沉积参数：镀膜室的真空度优于或等于5.0×10^-5Pa，分子束蒸发源温度900～1600℃，样品台温度25～500℃；复合膜由磁性层和绝缘层连续交替沉积而成，复合膜厚度为15～100nm；所述磁性层是由尺寸均一的磁性颗粒均匀嵌入绝缘介质中形成的层膜，磁性颗粒体积分数为80～95％，磁性颗粒的直径为1～20nm，磁性层厚度为1～20nm；所述绝缘层是由绝缘介质组成，厚度为0.1～10nm，绝缘介质为SiO；

所述磁性层的沉积：同时打开放有磁性颗粒和SiO颗粒的分子束蒸发源挡板和基片挡板，磁性颗粒和SiO颗粒的沉积速率比为1:1～20:1，控制磁性层厚度为1～20nm；

所述绝缘层的沉积：将放有磁性颗粒的分子束蒸发源挡板关闭，单独沉积SiO，控制绝缘层厚度为0.1～10nm。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述磁性层和绝缘层的沉积中，通过蒸发时间控制膜层厚度。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预处理的石英片或单晶硅片为选择表面粗糙度小于0.5nm的抛光石英片或单晶硅片，依次在丙酮、去离子水和酒精溶液中超声清洗15min，用高纯氩气的高压喷枪吹干。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述沉积复合膜后关闭分子束蒸发源挡板，将基片温度降至室温，降温速率小于15℃/min，取出复合膜。