[发明专利]体声波谐振器及其制造方法和滤波器、射频通信系统

权利要求书

1.一种体声波谐振器，其特征在于，包括：

衬底；

底电极层，设置在所述衬底上，且所述底电极层和所述衬底之间形成有空腔，所述底电极层具有底电极凹陷部，所述底电极凹陷部位于所述空腔的区域中且向着靠近所述空腔的底面的方向凹陷；

压电谐振层，形成在所述空腔上方的所述底电极层上；

顶电极层，形成在所述压电谐振层上，所述顶电极层具有顶电极凸起部，所述顶电极凸起部位于所述空腔的区域中并向着远离所述空腔的底面的方向凸起，所述顶电极凸起部和所述底电极凹陷部均位于所述压电谐振层外围的空腔区域中，所述底电极凹陷部与所述顶电极凸起部均围绕所述压电谐振层的周边方向延伸，且二者至少部分相对；

其中，所述压电谐振层的侧壁表面、所述顶电极凸起部的下表面以及所述底电极凹陷部的上表面均被暴露在所述空腔中。

2.如权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，所述底电极层还包括底电极搭接部，所述底电极搭接部一端连接所述底电极凹陷部，另一端搭接到所述空腔外围的衬底上；所述顶电极层还包括顶电极搭接部，所述顶电极搭接部一端连接所述顶电极凸起部，另一端延伸到所述空腔外围的衬底上方；所述底电极搭接部和所述顶电极搭接部相互错开。

3.如权利要求2所述的体声波谐振器，其特征在于，所述底电极层还包括与所述压电谐振层重叠的底电极谐振部，所述顶电极层还包括与所述压电谐振层重叠的顶电极谐振部，所述底电极谐振部和所述顶电极谐振部均为多边形。

4.如权利要求3所述的体声波谐振器，其特征在于，所述底电极凹陷部沿着所述底电极谐振部的边设置且至少设置在所述底电极搭接部和所述底电极谐振部对齐的区域中，所述顶电极凸起部沿着所述顶电极谐振部的边设置且至少设置在所述顶电极搭接部和所述顶电极谐振部对齐的区域中。

5.如权利要求4所述的体声波谐振器，其特征在于，所述底电极凹陷部在所述空腔上方至少与所述顶电极搭接部相互错开，或者，所述底电极凹陷部环绕所述底电极谐振部一周；所述顶电极凸起部在所述空腔上方至少与所述底电极搭接部相互错开，或者，所述顶电极凸起部环绕所述顶电极谐振部一周。

6.如权利要求5所述的体声波谐振器，其特征在于，所述顶电极凸起部和所述底电极凹陷部在所述空腔的底面上的投影正好相接或相互错开或具有重叠。

7.如权利要求3所述的体声波谐振器，其特征在于，所述底电极凹陷部、所述底电极搭接部和所述底电极谐振部采用同一膜层形成，所述顶电极凸起部、所述顶电极搭接部和所述顶电极谐振部采用同一膜层形成。

8.如权利要求4所述的体声波谐振器，其特征在于，所述底电极搭接部在自身所处的空腔部分上方完全遮盖空腔，且在所述顶电极搭接部的宽度方向，与所述顶电极搭接部无重叠。

9.如权利要求1至8中任一项所述的体声波谐振器，其特征在于，所述底电极凹陷部与所述压电谐振层之间的水平距离为制造所述底电极凹陷部的工艺所允许的最小距离；所述顶电极凸起部与所述压电谐振层之间的水平距离为制造所述顶电极凸起部的工艺所允许的最小距离。

10.如权利要求1至8中任一项所述的体声波谐振器，其特征在于，所述顶电极凸起部的侧壁相对所述压电谐振层的顶面倾斜，所述底电极凹陷部的侧壁相对所述压电谐振层的底面倾斜。

11.如权利要求10所述的体声波谐振器，其特征在于，所述顶电极凸起部的侧壁和所述压电谐振层的顶面之间的夹角小于等于45度，所述底电极凹陷部的侧壁与所述压电谐振层的底面之间的夹角小于等于45度。

12.如权利要求1至8或11中任一项所述的体声波谐振器，其特征在于，所述底电极凹陷部的线宽为制造所述底电极凹陷部的工艺所允许的最小线宽；所述顶电极凸起部的线宽为制造所述顶电极凸起部的工艺所允许的最小线宽。